Del transistor del Mosfet di potere di MLP1N06CLG LIVELLATORE DELLA TENSIONE il mosfe di LIMITAZIONE CORRENTE di potere dei transistor rf del mosfet di alto potere del MOSFET
multi emitter transistor
,silicon power transistors
MOSFET limitato internamente premuto e corrente di potere del livello logico di N-Manica
Questi dispositivi di SMARTDISCRETES caratterizzano la limitazione corrente per la protezione di cortocircuito, un morsetto integrato di portone--fonte per la protezione di ESD ed il morsetto dello portone--scolo per la protezione di sovratensione. Nessuna resistenza di serie supplementare del portone è richiesta quando collegare all'uscita di un MCU, ma ad una resistenza di pulldown del portone di 40 kΩ è raccomandato per evitare uno stato di galleggiamento del portone.
I morsetti interni dello portone--scolo e di portone--fonte permettono che i dispositivi si applichino senza uso delle componenti transitorie esterne di soppressione. Portone-al morsetto di fonte protegge l'input del MOSFET dagli sforzi di tensione elettrostatici del portone fino a 2,0 chilovolt. Il morsetto dello portone--scolo protegge il MOSFET scorre da sforzi della valanga dello scolo che si presentano con i carichi induttivi. Questa progettazione unica fornisce la pressione di tensione che è essenzialmente indipendente dalla temperatura di funzionamento.
• Il morsetto a temperatura compensata dello Portone--scolo limita lo sforzo di tensione applicato al dispositivo e protegge il carico dalla sovratensione
• Protezione integrata del diodo di ESD
• La commutazione controllata minimizza la RFI
• La tensione bassa della soglia permette ai carichi di collegamento di potere ai microprocessori
VALUTAZIONI MASSIME
Valutazione | Simbolo | Valore | Unità |
Tensione di Scolo--fonte | VDSS | Premuto | VCC |
Tensione del Scolo--portone (RGS = 1,0 MΩ) |
VDGR | Premuto | VCC |
Tensione di Portone--fonte — Continuo |
VGS | ±10 | VCC |
Vuoti corrente — Corrente continua dello scolo — Singolo impulso |
Identificazione IDM |
1,8 Auto-limitati | ADC |
Dissipazione di potere totale | Palladio | 40 | Watt |
Tensione della scarica elettrostatica (modello del corpo umano) | ESD | 2,0 | chilovolt |
Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento | TJ, Tstg | – 50 - 150 | °C |
ELENCO DI COLLEZIONI
NL17SZ74USG | 10000 | SU | 16+ | US8 |
MC9S08AC32CFUE | 4546 | FREESCALE | 12+ | QFP |
MAR-4SM | 2912 | MINI | 16+ | BEONE |
MRF9030LR1 | 647 | FREESCALE | 13+ | NI-360 |
MRF373AL | 442 | FSL | 16+ | SMD |
L6205N | 2168 | St | 15+ | IMMERSIONE |
MC9S08JM60CLD | 4600 | FREESCALE | 14+ | LQFP |
MCP6002-I/P | 10000 | MICROCHIP | 16+ | IMMERSIONE |
PIC12F609-I/SN | 5712 | MICROCHIP | 16+ | CONTENTINO |
CY7C65215-32LTXI | 2575 | CYPRESS | 15+ | QFN32 |
OPA227U | 6800 | TI | 13+ | CONTENTINO |
MIC4680YM | 10000 | MICREL | 16+ | CONTENTINO |
MBR130T1G | 25000 | SU | 15+ | SOD-123 |
PIC18F2220-I/SP | 4668 | MICROCHIP | 15+ | IMMERSIONE |
MAX253CSA+T | 8650 | MASSIMO | 14+ | CONTENTINO |
PE-68068 | 5600 | IMPULSO | 16+ | SMD |
MC34072PG | 3436 | SU | 10+ | IMMERSIONE |
MC14046BCP | 3424 | SU | 10+ | IMMERSIONE |
PIC18F24J10-I/SO | 4623 | MICROCHIP | 10+ | CONTENTINO |
LMH0041SQE/NOPB | 763 | TI | 14+ | WQFN-48 |
MC78L05ACHX | 30000 | FAIRCHILD | 10+ | SOT-89 |
PIC16F1827-I/SO | 5288 | MICROCHIP | 16+ | CONTENTINO |
MIC5205-3.3YM5 | 38000 | MICREL | 16+ | SOT23-5 |
LNK625DG | 6561 | POTERE | 14+ | SOP-7 |
PCI9656-BA66BIG | 340 | PLX | 14+ | BGA |
NCP500SN18T1G | 10000 | SU | 16+ | SOT23-5 |

AOZ1021AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE

AOZ1210AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE

TNY274GN STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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AOZ1021AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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