Invia messaggio
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Accoppiatore ottico multicanale del transistor del Mosfet di potere del mosfet di potere basso di CNY74-4H con l'uscita del fototransistor

Accoppiatore ottico multicanale del transistor del Mosfet di potere del mosfet di potere basso di CNY74-4H con l'uscita del fototransistor

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Optoisolatore Uscita transistor 5300Vrms 4 canali 16-DIP
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della riserva:
6 V
Corrente di andata:
60 mA
Punta di corrente di andata:
1,5 A
Dissipazione di potere:
100 Mw
TEMPERATURA DI GIUNZIONE:
°C 125
Gamma di temperature di stoccaggio:
– °C 55 - +125
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione


CNY74-2/CNY74-4
Accoppiatore ottico multicanale con l'uscita del fototransistor

Descrizione
I CNY74-2 e i CNY74-4 consistono di un fototransistor otticamente accoppiato ad un diodo d'emissione infrarosso dell'arsenuro di gallio 8 in un cavo, rispettivamente 16 pacchetti in-linea doppi di plastica del cavo. Gli elementi sono montati su un leadframe nella tecnica complanare, fornente una distanza fissa fra input ed uscita per gli più alti requisiti di sicurezza.

Applicazioni
Circuiti galvanico separati, commutatori d'interazione.

Caratteristiche?

  • CNY74-2 comprende 2 canali dell'isolatore?
  • CNY74-4 comprende 4 canali dell'isolatore?
  • Tensione di prova di isolamento di CC VIO = 2,5 chilovolt?
  • BACCANO della classe 25/100/21 della prova 40 045?
  • Capacità bassa 0,3 PF tipico dell'accoppiamento?
  • Rapporto di trasferimento corrente (CTR) 100% tipico?
  • Coefficiente di bassa temperatura del CTR?
  • Ampia gamma di temperatura ambiente


Valutazioni massime assolute
per il singolo sistema coppia

Input (emettitore)

ParametriCondizioni di provaSimboloValoreUnità
Tensione della riserva VR6V
Corrente di andata SE60mA
Punta di corrente di andata≤ 10 di tp? sIFSM1,5
Dissipazione di potere≤ 25°C di TambPV100Mw
Temperatura di giunzione Tj 125°C


Uscita (rivelatore)

ParametriCondizioni di provaSimboloValoreUnità
Tensione dell'emettitore del collettore VCEO70V
Tensione di collettore dell'emettitore VECO7V
Corrente di collettore IC50mA
Corrente di collettore di puntatp/T = 0,5, spettrografia di massa del ≤ 10 di tpICM100mA
Dissipazione di potere≤ 25°C di TambPV150Mw
Temperatura di giunzione Tj125°C


Accoppiatore

ParametriCondizioni di provaSimboloValoreUnità
Tensione di prova di isolamento di CC VIO 1)2,5V
Dissipazione di potere totale≤ 25°C di TambPtot250Mw
Gamma di temperatura ambiente Tamb– 40 - +100°C
Gamma di temperature di stoccaggio Tstg– 55 - +125°C
Temperatura di saldatura2 millimetri dal caso, ≤ 10 s di tDST260°C

1) relativo a BACCANO standard di clima 23/50 50 014

Pin Connections

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo.Q'tyMFGD/CPacchetto
AP891703987APLUS16+DIP-24
ADG708BRUZ3985ANNUNCIO15+TSSOP-16
ADV7623BSTZ3982ANNUNCIO14+LQFP144
AT29C256-70PI3981ATMEL14+DIP-28
ZTX1053A3980ZETEX15+TO-92S
LT3020EMS8#PBF3980LINEARE14+MSOP-8
ATF-50189-BLK3975AVAGO15+SOT89
MBI5026GD3968MBI15+CONTENTINO
AD8630ARUZ3965ANNUNCIO14+TSSOP-14
LT1086CT-3.33961LINEARE15+TO-220
ATMEGA32A-PU3952ATMEL15+DIP-40
ADL5544ARKZ3950ANNUNCIO15+SOT89
ADA4932-1YCPZ3940ANNUNCIO14+LFCSP-16
LP3875ES-ADJ3931NSC14+TO-263-5
ADL5536ARKZ3925ANNUNCIO14+SOT89
CXA3809M3919SONY14+CONTENTINO
AT89C55WD-24PU3919ATMEL15+PLCC44
ADA4899-1YRDZ3918ANNUNCIO15+SOP-8
AT45DB161D-SU3918ATMEL15+SOP-8
AD9822JRSZ3917ANNUNCIO15+SSOP-28
AD8048AR3916ANNUNCIO14+SOP-8




PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123  della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
10pcs