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Transistor planare complementare del silicio NPN rf dei circuiti integrati di elettronica di BFQ67W SOT-23

Transistor planare complementare del silicio NPN rf dei circuiti integrati di elettronica di BFQ67W SOT-23
Transistor planare complementare del silicio NPN rf dei circuiti integrati di elettronica di BFQ67W SOT-23
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie SC-70 del transistor NPN 10V 50mA 8GHz 300mW di rf
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Gamma di temperature:
– 65°C a +150°C
termine di pagamento:
T/T, Paypal, Western Union
Tensione:
2.5V
Corrente:
50mW
Pacchetto:
SOT-23
Pacchetto della fabbrica:
3000PCS/Reel
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduzione

Transistor planare complementare del silicio NPN rf dei circuiti integrati di elettronica di BFQ67W SOT-23

Caratteristiche

• Piccola capacità di risposte

• Figura a basso rumore

• Alta frequenza di transizione

• Componente senza del cavo (Pb)

• Componente nell'accordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC

Applicazioni

Piccoli amplificatori a basso rumore del segnale fino a 2 gigahertz. Questo transistor ha la figura di rumore superiore e prestazione collegata di guadagno alle frequenze di frequenza ultraelevata, di VHF e delle microonde.

Tipo di dati meccanico:

Caso BFQ67: Peso della custodia in plastica SOT-23: segno di mg approssimativamente 8,0: Appuntare V2: 1 = collettore, 2 = base, 3 = tipo dell'emettitore: Caso di BFQ67R: Peso della custodia in plastica SOT-23: segno di mg approssimativamente 8,0: Appuntare R67: 1 = collettore, 2 = base, 3 = tipo dell'emettitore: Caso di BFQ67W: Peso della custodia in plastica SOT-323: segno di mg approssimativamente 6,0: Appuntare WV2: 1 = collettore, 2 = base, 3 = emettitore

Valutazioni massime assolute

Tamb = °C 25 salvo specificazione contraria

Parametro Sybol Valore Unità
tensione della Collettore-base VCBO 20 V
tensione dell'Collettore-emettitore VCEO 10 V
Tensione emittenta-base VEBO 2,5 V
Corrente di collettore IC 50 mA
Dissipazione di potere totale Ptot 200 Mw
Temperatura di giunzione Pj 150 °C
Gamma di temperature di stoccaggio Tstg -65 - +150 °C

Una parte dell'elenco di collezioni

DS18B20+ MASSIMO 1603 TO-92
BTA41-800BRG STM 628 TO-247
IRF740 IR 508D TO-220
FT231XS-R FTDI 1605 SSOP-20
K9F1G08UOD-SCBO SAMSUNG 549 TSOP-48
B39440-X6764-N201 EPSON 2874 SIP-5
LM3578AM NSC CSRC SOP-8
MAX489CPD MASSIMO 1618 DIP-14
AT89C2051-24PU ATMEL 1506 DIP-20
FR2J PANJIT 1628 SMB
UF5408 VISHAY 1632 DO-201
SMAJ250A LITTLEFUSE 16H128 SMA
DS1603 Dallas 9944A1/102795 DIP-7
93LC86C-I/SN MICROCHIP 1243 SOP-8
SMF3.3.TCT SEMTECH 1622/F03 SC70-5
DS1338Z-33+TR MASSIMO 1630A3 SOP-8
GQM1885C1H150GB01D MURATA IA6903WR4 SMD0603
C0402C222K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
GCM155R71H223KA55D MURATA IA6903WR4 SMD0402
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C0402C473K9RACTU KEMET 1622 SMD0402
C0402C472K5RACTU KEMET 1603 SMD0402
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GRM31CR61E226KE15L MURATA IA6903WR4 SMD1206
CC0402KRX7R7BB103 YAGEO 1618 SMD0402
CC0603JRNP09BN120 YAGEO 1618 SMD0603
CC0603KRX5R8BB105 YAGEO 1618 SMD0603
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RC0603FR-07232RL YAGEO 1619 SMD0603
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