Invia messaggio
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Transistor di potenza complementari del mosfet di potere doppio ad alta tensione di MJD42CG

Transistor di potenza complementari del mosfet di potere doppio ad alta tensione di MJD42CG

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 100 V 6 un supporto di superficie 1,75 di 3MHz W DPAK
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
VCEO:
100 V CC
VBC:
100 V CC
VEB:
5 ADC
IB:
2 ADC
Palladio:
20 W
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione


Transistor di potenza complementari del mosfet di potere doppio ad alta tensione di MJD42CG




DPAK per le applicazioni di superficie del supporto

Progettato per l'amplificatore per tutti gli usi ed a bassa velocità

applicazioni di commutazione.




Caratteristiche
• Cavo formato per le applicazioni di superficie del supporto in maniche di plastica (nessun suffisso)
• Versione diritta del cavo in maniche di plastica («1" suffisso)
• Elettricamente simile alla serie popolare TIP41 e TIP42
• Costruzione monolitica con le resistenze basse dell'emettitore del − di Built−in
• UL a resina epossidica 94 V−0 @ 0,125 di raduni dentro
• Valutazioni di ESD: Modello del corpo umano, modello di macchina di 3B 8000 V, C 400 V
• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili

CARATTERISTICHE TIPICHE

ELENCO DI COLLEZIONI


M30620FCAFP3750RENESAS16+QFP
BT148W-600R1000014+TO220
MAX4312EEE+T3600MASSIMO14+QSOP
LTC1967CMS81628LINEARE15+MSOP
PM200CLA120100MITSUBISH05+MOUDLE
MAX5160MEUA14950MASSIMO16+MSOP
P89C51RC+JB1140PHILIPS15+QFP
MC68CK16Z1CAG163682FREESCALE15+QFP
PBY201209T-601Y-S20000YAGEO16+SMD
PACDN046M10620CMD16+MSOP8
XQ18V04VQ44N890XILINX14+QFP44
MAX17126BETM6650MASSIMO15+QFN
CY20AAJ-8F500MIT10+SOP-8
LME49720MA2428NSC14+SOP-8
BL05A888SU12+SOP-8
BT48302322ASTA15+ZIP
BLF27811212+SOT-262
M51996AFP3334RENESAS16+CONTENTINO
M25PE20-VMN6TP4331St16+CONTENTINO
MB81F643242B-10FN6418FUJI15+TSSOP
MPC5200CVR400B588FREESCALE14+BGA
XC2C64A-7VQG44I200XILINX14+VQFP44
XC6SLX100-3CSG484I100XILINX15+BGA
PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123  della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
5pcs