Mosfet complementare doppio ad alta tensione di potere di MJD41CT4G per l'amplificatore per tutti gli usi
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 3MHz 1.75 W Surface Mount DPAK
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
VCEO:
100 V CC
VBC:
100 V CC
VEB:
5 ADC
IB:
2 ADC
Palladio:
20 W
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
Mosfet complementare doppio ad alta tensione di potere di MJD41CT4G per l'amplificatore per tutti gli usi
DPAK per le applicazioni di superficie del supporto
Progettato per l'amplificatore per tutti gli usi ed a bassa velocità
applicazioni di commutazione.
Caratteristiche
• Cavo formato per le applicazioni di superficie del supporto in maniche di plastica (nessun suffisso)
• Versione diritta del cavo in maniche di plastica («1" suffisso)
• Elettricamente simile alla serie popolare TIP41 e TIP42
• Costruzione monolitica con le resistenze basse dell'emettitore del − di Built−in
• UL a resina epossidica 94 V−0 @ 0,125 di raduni dentro
• Valutazioni di ESD: Modello del corpo umano, modello di macchina di 3B 8000 V, C 400 V
• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili
CARATTERISTICHE TIPICHE
ELENCO DI COLLEZIONI
| M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
| BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
| MAX4312EEE+T | 3600 | MASSIMO | 14+ | QSOP |
| LTC1967CMS8 | 1628 | LINEARE | 15+ | MSOP |
| PM200CLA120 | 100 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| MAX5160MEUA | 14950 | MASSIMO | 16+ | MSOP |
| P89C51RC+JB | 1140 | PHILIPS | 15+ | QFP |
| MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | FREESCALE | 15+ | QFP |
| PBY201209T-601Y-S | 20000 | YAGEO | 16+ | SMD |
| PACDN046M | 10620 | CMD | 16+ | MSOP8 |
| XQ18V04VQ44N | 890 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| MAX17126BETM | 6650 | MASSIMO | 15+ | QFN |
| CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
| LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| BL05A | 888 | SU | 12+ | SOP-8 |
| BT4830 | 2322 | ASTA | 15+ | ZIP |
| BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
| M51996AFP | 3334 | RENESAS | 16+ | CONTENTINO |
| M25PE20-VMN6TP | 4331 | St | 16+ | CONTENTINO |
| MB81F643242B-10FN | 6418 | FUJI | 15+ | TSSOP |
| MPC5200CVR400B | 588 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| XC2C64A-7VQG44I | 200 | XILINX | 14+ | VQFP44 |
| XC6SLX100-3CSG484I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
5pcs