Invia messaggio
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
prodotti
costruttori
Circa noi
risorse
Invii il RFQ
scaricamento
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Tiristori ad alta tensione del mosfet di potere del mosfet di potere basso dei raddrizzatori controllati di silicio MCR100-6

Tiristori ad alta tensione del mosfet di potere del mosfet di potere basso dei raddrizzatori controllati di silicio MCR100-6

Tiristori ad alta tensione del mosfet di potere del mosfet di potere basso dei raddrizzatori controllati di silicio MCR100-6
Tiristori ad alta tensione del mosfet di potere del mosfet di potere basso dei raddrizzatori controllati di silicio MCR100-6
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
SCR 0.8A 400V TO92 del TIRISTORE
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Nota di punta ripetitiva di tensione dello fuori stato (1):
400 V
Corrente dello su stato di RMS (angoli di conduzione 180o):
0,8 A
Corrente media dello su stato (angoli di conduzione 80o):
0,5 A
Io valore del ² t per fondere:
0,41 A2s
Junction temperature:
40~125 ℃
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduzione

Raddrizzatori controllati di silicio

Caratteristiche

■Corrente sensibile di innesco del portone: Massimo di IGT=200uA

■Tensione bassa dello su stato: VTM=1.2 (tipo.) @ ITM

■Inverso basso ed in avanti bloccare correnti: IDRM/IPRM= 100uA@TC =125℃

■Corrente di tenuta bassa: Massimo di IH=5mA

Descrizione generale

L'SCR d'avviamento sensibile è adatto ad applicazione dove corrente del portone limitata quali i microcontroller, i circuiti integrati di logica, il piccolo controllo motorio, driver del portone per il grande SCR, percepente ed individuante i circuiti. Applicazioni per tutti gli usi di controllo di fase e di commutazione

Caratteristiche termiche

Simbolo Parametro Valore Unità
RQJC

Resistenza termica,

Giunzione--caso

 60 ℃/W
RQJA

Resistenza termica,

Giunzione--ambientale

 150 ℃/W

ELENCO DI COLLEZIONI

LPC1311FHN33 3642 11+ HVQFN-33
LM2903DR2G 40000 SU 14+ SOP-8
LM358D2G 25000 SU 14+ SOP-8
LM2941LD 1000 NSC 13+ QFN
MAX887HESA 9505 MASSIMO 16+ CONTENTINO
LT6100IMS8 14394 LT 16+ MSOP
LM614CWM 2876 NSC 14+ SOP-14
MAX708SESA 10000 MASSIMO 16+ CONTENTINO
MCP1703AT-5002E/MB 5086 MICROCHIP 16+ SOT-89
LRPS-2-1 7310 MINI 16+ CONTENTINO
CY62157EV30LL-45ZSXIT 1783 CYPRESS 15+ TSOP32
ZJYS51R5-2PT 5000 TDK 15+ SMD
PIC18F14K50-I/SS 4673 MICROCHIP 16+ SSOP
LT4363IMS-2 5445 LINEARE 15+ MSOP
ATMEGA8A-PU 4090 ATMEL 15+ DIP-28
LM4120IM5-3.3 4851 NSC 15+ SOT-23-5
PEMD12 25000 16+ BEONE
MGA-68563-TR1G 6238 AVAGO 16+ SOT-363
NTZD3155CT2G 40000 SU 16+ SOT-563
MIC841LYC5 10000 MICREL 16+ SC70-5
MAX3110ECWI 9650 MASSIMO 16+ CONTENTINO
MAX3140CEI 9700 MASSIMO 14+ SSOP
LM614IWMX 4277 NSC 14+ SOP-16
PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
5pcs
Contattaci
Indirizzo: Stanza 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Telefono: 86-755-88367702
prodotti

Chip di IC di memoria flash

Chip programmabile di IC

Il computer IC scheggia

Driver ICs del LED

Gestione CI di potere

Chip a circuito integrato

Unità microcontrollore MCU

Driver ICs dell'esposizione

Modulo di alimentazione IGBT

L'amplificatore IC scheggia
Circa noi
Circa noi Certificato di iso Controllo di qualità Norme sulla privacy Centro di aiuto
Norme sulla privacy | Buona qualità della Cina Chip di IC di memoria flash Fornitore. © di Copyright 2023 icmemorychip.com . Tutti i diritti riservati.