Transistor del mosfet di alto potere di MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementare
power mosfet ic
,silicon power transistors
Transistor del mosfet di alto potere di MJD112T4G, DarliCM GROUPon Power Transistors complementare
MJD112 (NPN)
MJD117 (PNP)
DarliCM GROUPon Power Transistors complementare
DPAK per le applicazioni di superficie del supporto
TRANSISTOR DI POTENZA DEL SILICIO
2 AMPÈRI
100 VOLT
20 WATT
Progettato per potere per tutti gli usi e la commutazione quali le fasi di driver o dell'uscita nelle applicazioni quali i regolatori di commutazione, i convertitori e gli amplificatori di potenza.
Caratteristiche
• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili
• Cavo formato per le applicazioni di superficie del supporto in maniche di plastica (nessun suffisso)
• Versione diritta del cavo suffisso delle maniche di plastica in ("−1»)
• Versione formata cavo in un nastro da 16 millimetri ed in bobina («T4» e suffisso «di RL»)
• Elettricamente simile alla serie popolare TIP31 e TIP32
VALUTAZIONI MASSIME
Valutazione | Simbolo | Massimo | Unità |
Tensione di Collector−Emitter | VCEO | 100 | VCC |
Tensione di Collector−Base | VCB | 100 | VCC |
Tensione di Emitter−Base | VEB | 5 | VCC |
− della corrente di collettore continuo Picco |
IC |
2 4 |
ADC |
Corrente di base | IB | 50 | mAdc |
Dissipazione di potere totale @ TC = 25°C Riduca le imposte su sopra 25°C |
Palladio |
20 0,16 |
W W/°C |
TUM di Dissipation* di potere @ = 25°C totali Riduca le imposte su sopra 25°C |
Palladio |
1,75 0,014 |
W W/°C |
Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento | TJ, Tstg | −65 a +150 | °C |
Le valutazioni massime sono quei valori oltre quale danno del dispositivo può accadere. Le valutazioni massime si sono applicate al dispositivo sono diversi valori limite di sforzo (non condizioni operative normali) e sono invalide simultaneamente. Se questi limiti sono oltrepassati, l'operazione funzionale del dispositivo non è implicata, il danno può accadere e l'affidabilità può essere colpita.
DIAGRAMMI DI SEGNO
DIMENSIONI DEL PACCHETTO
DPAK
CASO 369C
EDIZIONE O
DPAK−3
CASO 369D−01
EDIZIONE B

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
