Elettronica di IC del chip del circuito integrato del transistor del Mosfet di potere di IRLR2905TRPBF TO-252
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Elettronica di IC del chip del circuito integrato del transistor del Mosfet di potere di IRLR2905TRPBF TO-252
IRLR2905TRPBF
±15kV ESD ha protetto, +3V a +5.5V, 1Microamp, 250kbps, trasmettitori RS-232/ricevitori
Azionamento del portone del livello logico?
Su resistenza ultrabassa?
Supporto di superficie (IRLR2905)?
Cavo diritto (IRLU2905)?
Tecnologia della trasformazione avanzata
Commutazione veloce? Completamente valanga valutata
Senza piombo
Descrizione
La quinta generazione HEXFETs dal raddrizzatore internazionale utilizza le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere la su resistenza possibile più bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente per uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il D-PAK è progettato per il montaggio di superficie facendo uso della fase di vapore, dell'infrarosso, o delle tecniche di saldatura dell'onda. La versione diritta del cavo (serie di IRFU) è per il attraverso-foro che monta le applicazioni. I livelli della dissipazione di potere fino a 1,5 watt sono possibili nelle applicazioni di superficie tipiche del supporto.
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??????????????? ????????????? Maxim Rating assoluto
Corrente continua dello scolo TC = 25°C, identificazione 10V 42 di VGS @ @ TC = 100°C
Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V 30 A
IDM pulsati vuotano il palladio corrente 160 @TC = 25°C
Ridurre le imposte lineare della dissipazione di potere 110 W scompone 0,71 W/°C in fattori
± 16 V di tensione di Portone--fonte di VGS
Singola energia della valanga di impulso di EAS? 210 mJ
Corrente 25 della valanga di IAR un ORECCHIO ripetitivo
Recupero dv/dt del diodo del picco di mJ dv/dt di energia 11 della valanga? 5,0 V/ns
Giunzione di funzionamento e -55 di TJ + a 175
Gamma di temperature di stoccaggio di TSTG
Temperatura di saldatura, per 10 il °C di secondi 300 (1.6mm dal caso)
Una parte dell'elenco di collezioni
| INDUTOR 2.2UH NLFC322522T-2R2M-PF | TDK | Y6438385HU | SMD3225 |
| INDUTOR 10UH NLFC322522T-100K-PF | TDK | Y643780LHU | SMD3225 |
| C.I LTC3406ES5-1.8TRPBF | LINEARE | LTC4 | SOT23-5 |
| C.I LTC3406ES5-1.5TRPBF | LINEARE | LTD6 | SOT23-5 |
| C.I SN74HC273DWR | TI | 87D71RK/85FKF2K | SOP-20 |
| Ricerca 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| Ricerca 49R9 1% RC0805FR-0749R9L |
YAGEO | 1639 | SMD0805 |
| Ricerca 6K8 1% RC0805FR-076K8L |
YAGEO | 1633 | SMD0805 |
| Ricerca 0R 5% RC0603JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0603 |
| CAPPUCCIO 0805 10UF 16V X5R CL21A106KOQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| DIODO B330A-13-F | DIODI | 1522/B330A | SMA |
| C.I MM74C922N | FAC | BH56AB | DIP-18 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| C.I CD4052BM96 | TI | 69P1HQA | SOP-16 |
| Ricerca 1210 220R 5% RC1210JR-07220RL | YAGEO | 1633 | SMD1210 |
| Ricerca 1210 330R 5% RC1210JR-07330RL | YAGEO | 1641 | SMD1210 |
| CAPPUCCIO 0805 100NF 16V X7R 0805YC104KAT2A | AVX | 1622 | SMD0805 |
| Ricerca 0805 1K5 1% RC0805FR-071K5L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| Ricerca 0805 3K3 1% RC0805FR-073K3L |
YAGEO | 1641 | SMD0805 |
| C.I SN74LS373N | TI | 1606+5 | DIP-20 |
| OPTOACOPLADOR 4N25M | FSC | 629Q | DIP-6 |
| Ricerca 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
YAGEO | 1642 | SMD0805 |
| Ricerca 0805 4K99 1% RC0805FR-074K99L |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| Ricerca 0805 75R 1% RC0805FR-0775RL |
YAGEO | 1643 | SMD0805 |
| NPO 08055A221JAT2A del CAPPUCCIO 0805 220PF 50V | AVX | 1633 | SMD0805 |
| C.I SSD1961G40 | SOLOMON | L045AF | BGA40 |
| C.I LM336D-2.5 | TI | 336-25/68MA6EG. | SOP-8 |
| C.I TPS61041DBVR | TI | PHPI | SOT23-5 |
| DIODO 1N4756A | SEMTECH | SL0C2P0817Z185G | DO-41 |
| CONVERTITORE DI C.I MCP3201-CI/P |
MICROCHIP | 1621SOD | DIP-8 |
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC