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Transistor del Mosfet di potere MMBF170, N - transistor di effetto di campo di modo di potenziamento di Manica

Transistor del Mosfet di potere MMBF170, N - transistor di effetto di campo di modo di potenziamento di Manica
Transistor del Mosfet di potere MMBF170, N - transistor di effetto di campo di modo di potenziamento di Manica
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie 300mW (tum) SOT-23-3 di N-Manica 60 V 500mA (tum)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di Scolo-fonte:
60 V
Tensione del Scolo-portone (RGS < 1MW):
60 V
Tensione di Portone-fonte:
± 20 V
Vuoti corrente - continuo:
500 mA
Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento:
°C -55 - 150
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduzione

BS170/MMBF170

Transistor di effetto di campo di modo di potenziamento di N-Manica

Descrizione generale

Questi transistor di effetto di campo del modo di potenziamento di N-Manica sono prodotti facendo uso di Fairchild privata, l'alta densità delle cellule, la tecnologia di DMOS. Questi prodotti sono stati destinati per minimizzare l'attimo della resistenza dello su stato forniscono la prestazione di commutazione irregolare, affidabile e veloce. Possono essere utilizzati nella maggior parte delle applicazioni che richiedono fino alla CC 500mA. Questi prodotti sono adatti specialmente per bassa tensione, le applicazioni a corrente debole quale piccolo servo controllo motorio, i driver del portone del MOSFET di potere ed altre applicazioni di commutazione.

Caratteristiche

  • Progettazione ad alta densità delle cellule per RDS basso (SOPRA).
  • Commutatore controllato del segnale di tensione piccolo.
  • Irregolare ed affidabile.
  • Alta capacità della corrente di saturazione.

TUM di valutazioni massime assolute = 25°C salvo indicazione contraria

Simbolo Parametro BS170 MMBF170 Unità
VDSS Tensione di Scolo-fonte 60 V
VDGR Tensione del Scolo-portone (RGS< 1MW=""> 60 V
VGSS Tensione di Portone-fonte ± 20 V
Identificazione

Vuoti corrente - continuo

- Pulsato

 500 500 mA
1200 800 mA
Palladio

Dissipazione di potere massima

Riduca le imposte su sopra 25°C

 830 300 Mw
6,6 2,4 mW/°C
TJ, TSTG Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento -55 - 150 °C
TL Temperatura massima per gli scopi di saldatura, 1/16 del cavo» dall'argomento per 10 secondi 300 °C
CARATTERISTICHE TERMICHE
RθJA Resistacne termico, Giunzione--ambientale 150 417 °C/W

Circuito di commutazione della prova. Forme d'onda di commutazione.

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