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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > I circuiti integrati sensibili di elettronica del portone dei triac di T410-600B-TR alimentano i TRIAC del transistor 4A del Mosfet

I circuiti integrati sensibili di elettronica del portone dei triac di T410-600B-TR alimentano i TRIAC del transistor 4A del Mosfet

I circuiti integrati sensibili di elettronica del portone dei triac di T410-600B-TR alimentano i TRIAC del transistor 4A del Mosfet
I circuiti integrati sensibili di elettronica del portone dei triac di T410-600B-TR alimentano i TRIAC del transistor 4A del Mosfet
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Logica del TRIAC - supporto di superficie sensibile DPAK del portone 600 V 4 A
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Io valore del ² t per fondere:
5,1 ² s di A
Tasso critico di aumento dello su stato corrente IG = 2 x IGT, ≤ 100 NS di TR:
50 A/µs
Corrente di punta del portone:
4 A
Dissipazione di potere media del portone:
1 W
Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio:
- 40 + a °C 150
Gamma di temperature di funzionamento della giunzione:
- 40 + a °C 125
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduzione

Serie T4

TRIAC 4A

Caratteristiche principali

Simbolo Valore Unità
L'IT (RMS) 4
VDRM/VRRM 600 - 800 V
IGT (Q1) 5 - 35 mA

DESCRIZIONE

Sulla base della tecnologia dello Snubberless/livello logico della st che fornisce le alte prestazioni di commutazione, la serie T4 è adatta ad uso sui carichi induttivi di CA.

Sono raccomandati per le applicazioni facendo uso dei motori universali, elettrovalvole…. quali le attrezzature dell'aiuto della cucina, macchine utensili, lavastoviglie,… Disponibile in un pacchetto completamente isolato, il T4… -… la versione di W risponde alle norme dell'UL (rif. E81734).

Valutazioni massime assolute

Simbolo Parametro Valore Unità
L'IT (RMS) Corrente dello su stato di RMS (sinusoide completa) IPAK/DPAK/TO-220AB TC = 110°C 4
ISOWATT220AB TC = 105°C
ITSM Corrente di punta dello su stato dell'impulso non ripetitivo (ciclo completo, Tj = 25°C) iniziale F = 50 hertz t = spettrografia di massa 20 30
F = 60 hertz t = spettrografia di massa 16,7 31
² t di I Io valore del ² t per fondere tp = spettrografia di massa 10 5,1 Un ² s
dI/dt Tasso critico di aumento dello su stato corrente IG = 2 x IGT, ≤ 100 NS di TR F = 120 hertz Tj = 125°C 50 A/µs
IGM Corrente di punta del portone tp = 20 µs Tj = 125°C 4
PAGINA (AVOIRDUPOIS) Dissipazione di potere media del portone Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio

Gamma di temperature di funzionamento della giunzione

- 40 + a 150

- 40 + a 125

 °C

Dati meccanici del pacchetto di DPAK

La stampa del piede di DPAK dimensiona (nei millimetri)

Dati meccanici del pacchetto di ISOWATT220AB

Dati meccanici del pacchetto di IPAK

Dati meccanici del pacchetto di TO-220AB

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