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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Tipo diffuso triplo del silicio NPN del transistor del Mosfet di potere del mosfet CI di potere 2SC2229-Y (processo del PCT)

Tipo diffuso triplo del silicio NPN del transistor del Mosfet di potere del mosfet CI di potere 2SC2229-Y (processo del PCT)

Tipo diffuso triplo del silicio NPN del transistor del Mosfet di potere del mosfet CI di potere 2SC2229-Y (processo del PCT)
Tipo diffuso triplo del silicio NPN del transistor del Mosfet di potere del mosfet CI di potere 2SC2229-Y (processo del PCT)
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 150 V 50 mA 120MHz 800 Mw attraverso il foro TO-92MOD
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
200 V
tensione dell'Collettore-emettitore:
150 V
Tensione emittenta-base:
5 V
Corrente di collettore:
50 mA
Dissipazione di potere del collettore:
800 Mw
Gamma di temperature di stoccaggio:
−55 a °C 150
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduzione

Tipo diffuso triplo del silicio NPN del transistor di TOSHIBA (processo del PCT)

2SC2229

Applicazioni della video uscita della TV in bianco e nero

Applicazioni di commutazione ad alta tensione

Applicazioni di Stage Audio Amplifier del driver

• Alta tensione di ripartizione: VCEO = 150 V (min)

• Capacità di uscita bassa: Pannocchia = 5,0 PF (massimi)

• Alta frequenza di transizione: fT = 120 megahertz (tipo.)

Valutazioni massime assolute (tum = 25°C)

Caratteristiche Simbolo Valutazione Unità
tensione della Collettore-base VCBO 200 V
tensione dell'Collettore-emettitore VCEO 150 V
Tensione emittenta-base VEBO 5 V
Corrente di collettore IC 50 mA
Corrente di base IB 20 mA
Dissipazione di potere del collettore PC 800 Mw
Temperatura di giunzione Tj 150 °C
Gamma di temperature di stoccaggio Tstg −55 a 150 °C

Nota: Facendo uso di continuamente nell'ambito degli oneri gravosi (per esempio l'applicazione di temperatura elevata/corrente/tensione ed il cambiamento significativo nella temperatura, ecc.) può indurre questo prodotto a diminuire significativamente nell'affidabilità anche se le condizioni di gestione (cioè temperatura di funzionamento/corrente/tensione, ecc.) sono all'interno delle valutazioni massime assolute. Prego progettazione l'affidabilità appropriata sopra l'esame del manuale di affidabilità a semiconduttore di Toshiba («trattando concetto e metodi di /Derating di precauzioni») e diversi dati di affidabilità (cioè relazione sull'esperimento di affidabilità ed incidenza guasti, ecc stimati).

Peso: 0,36 g (tipo.)

Marcatura

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
P89LPC936FDH 5512 14+ TSSOP
LT1010CT 5605 LT 14+ TO220
IT8705F-FXS 5698 ITE 14+ QFP
ADS1232IPWR 5504 TI 16+ TSSOP
LMZ10503TZE-ADJ/NOPB 5310 TI 16+ PFM-7
XCR3032XL-10VQG44C 5116 XILINX 13+ QFP44
LT1461BIS8-2.5 4922 LT 15+ SOP8
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AD623ARZ 3758 ANNUNCIO 16+ CONTENTINO
TDA5140AT/C1 3564 PHILPS 16+ SOP20
OPA2344UA 3370 TI 13+ SOP-8
AP89341 3176 APLUS 15+ IMMERSIONE
2N6057 2982 MOT 16+ TO-3
ATMEGA8A-AU 2788 ATMEL 16+ QFP
IRFP460PBF 2594 IR 14+ TO-247
L297 2400 St 14+ IMMERSIONE
MAX1324ECM 2206 MASSIMO 14+ QFP
UCC2897APWR 2012 TI 16+ TSSOP20
W5300 1818 WIZNET 16+ QFP
STRW6252 1624 SANKEN 13+ TO-220F
SI9241A 1430 VISHAY 15+ SOP8
TC4-1W 1236 MINI 16+ Na
LTC4357CMS8 1042 LT 16+ MSOP8
MSP430F149IPMR 848 TI 14+ QFP
PE-65351 654 IMPULSO 14+ DIP6
SIM900 760 SIM 14+ Na

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