Transistor per tutti gli usi del transistor PNP del Mosfet di potere BC807-25
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| 5M0380R | 2882 | FSC | 14+ | TO-220 |
| AT24C04 | 2882 | ATMEL | 14+ | SOP8 |
| HT1381 | 2882 | HOLTEK | 14+ | SOP8 |
| L293E | 2887 | St | 16+ | IMMERSIONE |
| BZX84B5V1 | 2888 | SU | 16+ | SOT-23 |
| TLP523-4 | 2888 | TOSHIBA | 13+ | DIP-16 |
| TPS63020DSJR | 2888 | TI | 15+ | QFN |
| KBP210 | 2896 | SETTEMBRE | 16+ | IMMERSIONE |
| MP1542DK-LF-Z | 2900 | MP | 16+ | MSOP8 |
| STU3030 | 2900 | SAMHOP | 14+ | TO-252 |
| IRS2092S | 2978 | IR | 14+ | SOP16 |
| SMBJ36A | 2980 | VISHAY | 14+ | DO-214AA |
| A6259 | 2988 | SANKEN | 16+ | IMMERSIONE |
| IRF7309TRPBF | 2990 | IR | 16+ | SOP8 |
| PIC16F877-20I/L | 2990 | MICROCHIP | 13+ | PLCC44 |
| IRFBE30P | 2997 | IR | 15+ | TO-220 |
| MUR1640CT | 2998 | SU | 16+ | TO-220 |
| 1.5KE15A | 3000 | VISHAY | 16+ | DO-201AD |
| 1.5KE6.8CA | 3000 | VISHAY | 14+ | DO-201AD |
| 1N5359B | 3000 | SU | 14+ | DO-27 |
| 1N5819HW-7-F | 3000 | DIODI | 14+ | SOD-123 |
| 2N7002W-7-F | 3000 | DIODI | 16+ | SOT-323 |
| 74HC1G04GW | 3000 | 16+ | SOT-353 | |
| BD136 | 3000 | St | 13+ | TO-126 |
| BF620 | 3000 | 15+ | SOT-89 | |
| BZD27C13 | 3000 | VISHAY | 16+ | SOD123 |
| BZX84-C12 | 3000 | 16+ | SOT23 | |
| CAT810LTBI | 3000 | SU | 14+ | SOT23-3 |
| DF01S | 3000 | VISHAY | 14+ | SOP4 |
| DTC124EU | 3000 | ROHM | 14+ | SOT323 |
Transistor per tutti gli usi di BC807 PNP
CARATTERISTICHE
• A corrente forte (massimo 500 mA)
• Bassa tensione (massimo 45 V).
APPLICAZIONI
• Commutazione ed amplificazione per tutti gli usi.
Fig.1 ha semplificato il profilo (SOT23) ed il simbolo.
DESCRIZIONE
Transistor di PNP in un pacchetto di plastica SOT23.
NPN complementa: BC817.
APPUNTARE
| PIN | DESCRIZIONE |
| 1 | base |
| 2 | emettitore |
| 3 | collettore |
VALORI LIMITE
Conformemente al sistema di valutazione massimo assoluto (IEC 134).
| SIMBOLO | PARAMETRO | CIRCOSTANZE | Minuto. | MASSIMO. | UNITÀ |
| VCBO | tensione della collettore-base | emettitore aperto | − | −50 | V |
| VCEO | tensione dell'collettore-emettitore | base aperta; IC = −10 mA | − | −45 | V |
| VEBO | tensione emittenta-base | collettore aperto | − | −5 | V |
| IC | corrente di collettore (CC) | − | −500 | mA | |
| ICM | corrente di collettore di punta | − | −1 | ||
| IBM | corrente di base di punta | − | −200 | mA | |
| Ptot | dissipazione di potere totale | °C del ≤ 25 di Tamb; nota 1 | − | 250 | Mw |
| Tstg | temperatura di stoccaggio | −65 | +150 | °C | |
| Tj | temperatura di giunzione | − | 150 | °C | |
| Tamb | temperatura ambiente di funzionamento | −65 | +150 | °C |
Il transistor della nota 1. ha montato su un bordo del circuito stampato FR4.
PROFILO DEL PACCHETTO
Pacchetto montato di superficie di plastica; 3 cavi SOT23


