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Transistor per tutti gli usi del transistor PNP del Mosfet di potere BC807-25

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 45 V 500 mA 100MHz un supporto di superficie SOT-23 da 300 Mw
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
−50 V
tensione dell'Collettore-emettitore:
−45 V
Tensione emittenta-base:
−5 V
Corrente di collettore (CC):
−500 mA
corrente di base di punta:
−200 mA
Dissipazione di potere totale:
250 mW
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduzione

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
5M0380R 2882 FSC 14+ TO-220
AT24C04 2882 ATMEL 14+ SOP8
HT1381 2882 HOLTEK 14+ SOP8
L293E 2887 St 16+ IMMERSIONE
BZX84B5V1 2888 SU 16+ SOT-23
TLP523-4 2888 TOSHIBA 13+ DIP-16
TPS63020DSJR 2888 TI 15+ QFN
KBP210 2896 SETTEMBRE 16+ IMMERSIONE
MP1542DK-LF-Z 2900 MP 16+ MSOP8
STU3030 2900 SAMHOP 14+ TO-252
IRS2092S 2978 IR 14+ SOP16
SMBJ36A 2980 VISHAY 14+ DO-214AA
A6259 2988 SANKEN 16+ IMMERSIONE
IRF7309TRPBF 2990 IR 16+ SOP8
PIC16F877-20I/L 2990 MICROCHIP 13+ PLCC44
IRFBE30P 2997 IR 15+ TO-220
MUR1640CT 2998 SU 16+ TO-220
1.5KE15A 3000 VISHAY 16+ DO-201AD
1.5KE6.8CA 3000 VISHAY 14+ DO-201AD
1N5359B 3000 SU 14+ DO-27
1N5819HW-7-F 3000 DIODI 14+ SOD-123
2N7002W-7-F 3000 DIODI 16+ SOT-323
74HC1G04GW 3000 16+ SOT-353
BD136 3000 St 13+ TO-126
BF620 3000 15+ SOT-89
BZD27C13 3000 VISHAY 16+ SOD123
BZX84-C12 3000 16+ SOT23
CAT810LTBI 3000 SU 14+ SOT23-3
DF01S 3000 VISHAY 14+ SOP4
DTC124EU 3000 ROHM 14+ SOT323


Transistor per tutti gli usi di BC807 PNP

CARATTERISTICHE
• A corrente forte (massimo 500 mA)
• Bassa tensione (massimo 45 V).

APPLICAZIONI
• Commutazione ed amplificazione per tutti gli usi.

Fig.1 ha semplificato il profilo (SOT23) ed il simbolo.
DESCRIZIONE
Transistor di PNP in un pacchetto di plastica SOT23.
NPN complementa: BC817.

APPUNTARE

PIN DESCRIZIONE
1 base
2 emettitore
3 collettore


VALORI LIMITE
Conformemente al sistema di valutazione massimo assoluto (IEC 134).

SIMBOLO PARAMETRO CIRCOSTANZE Minuto. MASSIMO. UNITÀ
VCBO tensione della collettore-base emettitore aperto −50 V
VCEO tensione dell'collettore-emettitore base aperta; IC = −10 mA −45 V
VEBO tensione emittenta-base collettore aperto −5 V
IC corrente di collettore (CC) −500 mA
ICM corrente di collettore di punta −1
IBM corrente di base di punta −200 mA
Ptot dissipazione di potere totale °C del ≤ 25 di Tamb; nota 1 250 Mw
Tstg temperatura di stoccaggio −65 +150 °C
Tj temperatura di giunzione 150 °C
Tamb temperatura ambiente di funzionamento −65 +150 °C

Il transistor della nota 1. ha montato su un bordo del circuito stampato FR4.

PROFILO DEL PACCHETTO

Pacchetto montato di superficie di plastica; 3 cavi SOT23



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