Transistor del mosfet di alto potere del transistor del Mosfet di potere di IRF7240TRPBF
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| NDT456P | 5000 | FAIRCHILD | 16+ | SOP8 |
| OB2268CCPA | 5000 | OB' | 16+ | SOP8 |
| P2003EVG | 5000 | NIKOS | 13+ | SOP8 |
| P6SMB27CA | 5000 | VISHAY | 15+ | SMB |
| P89LPC932A1FDH | 5000 | 16+ | TSSOP | |
| PC400J00000F SOP-5 | 5000 | TAGLIENTE | 16+ | SOP-5 |
| PIC16C711-04/P | 5000 | MICROCHIP | 14+ | DIP-18 |
| PIC16F716-I/P | 5000 | MICROCHIP | 14+ | DIP-18 |
| PIC16F84A-04I/SO | 5000 | MICROCHIP | 14+ | SOP18 |
| PIC16F886-I/SP | 5000 | MICROCHIP | 16+ | IMMERSIONE |
| PIC18F4431-I/PT | 5000 | MICROCHIP | 16+ | TQFPQFP |
| RFD15P05SM | 5000 | INTERSIL | 13+ | TO-252 |
| RT8010GQW | 5000 | RICHTEK | 15+ | WDFN |
| SFH6156-4 | 5000 | VISHAY | 16+ | SOP4 |
| SI4880DY-T1-E3 | 5000 | VISHAT | 16+ | SOP-8 |
| SLF6028T-100M1R3-PF | 5000 | TDK | 14+ | SMD |
| SM15T15A | 5000 | St | 14+ | DO-214AB |
| SM6S24A | 5000 | VISHAY | 14+ | DO-218 |
| SMAJ15A | 5000 | VISHAY | 16+ | SOD-214A |
| SMBJ6.0A | 5000 | VISHAY | 16+ | SMB |
| SMCJ54A-E3 | 5000 | VISHAY | 13+ | DO-214A |
| SN74AHC123ADR | 5000 | TI | 15+ | SOP-16 |
| SN74HC132N | 5000 | TI | 16+ | CONTENTINO |
| TI 0401 DI SN74HC148N | 5000 | TI | 16+ | SOP-16 |
| ST232ABDR | 5000 | St | 14+ | SMD |
| ST232CWR | 5000 | St | 14+ | SOP16 |
| STM8S103F2P6 | 5000 | St | 14+ | SSOP |
| STP75NF75 | 5000 | St | 16+ | TO-220 |
| STTH1R06U | 5000 | St | 16+ | SMB |
| STU309D | 5000 | SAMHOP | 13+ | SOT-252 |
IRF7240PbF
HEXFET? MOSFET di potere
- Su resistenza ultrabassa?
- MOSFET di P-Manica?
- Supporto di superficie?
- Disponibile in nastro & in bobina?
- Senza piombo
| VDSS | RDS (sopra) massimo | Identificazione |
| -40V | 0.015@VGS = -10V | -10.5A |
| 0.025@VGS = -4.5V | -8.4A |
Descrizione
Questi MOSFETs di P-Manica dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente per uso nelle applicazioni della gestione del carico e della batteria.
Il SO-8 è stato modificato attraverso un leadframe su misura per le caratteristiche migliorate e la capacità termiche del multiplo-dado che lo rende ideale in varie applicazioni di potere. Con questi miglioramenti, i dispositivi multipli possono essere utilizzati in un'applicazione con lo spazio drammaticamente riduttore del bordo. Il pacchetto è progettato per la fase di vapore, l'infrarosso, o la tecnica di saldatura dell'onda
? Valutazioni massime assolute
| Parametro | Massimo. | Unità | |
| VDS | Tensione di fonte dello scolo | -40 | V |
| TUM di IDENTIFICAZIONE @ = 25°C | Corrente continua dello scolo, VGS @ -10V | -10,5 | |
| TUM di IDENTIFICAZIONE @ = 70°C | Corrente continua dello scolo, VGS @ -10V | -8,6 | |
| IDM | Corrente pulsata dello scolo | -43 | |
| Palladio @TA = 25°C | Dissipazione di potere | 2,5 | W |
| Palladio @TA = 70°C | Dissipazione di potere | 1,6 | W |
| Fattore riducente le imposte lineare | 20 | mW/°C | |
| VGS | Tensione di Portone--fonte | ± 20 | V |
| TJ, TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio e della giunzione | -55 + a 150 | °C |
Profilo del pacchetto SO-8
Le dimensioni sono indicate nei millimetri (pollici)
Marcatura della parte SO-8
ESEMPIO: CIÒ È UN IRF7101 (MOSFET)
Nastro SO-8 e bobina
Le dimensioni sono indicate nei millimetri (pollici)
AOZ1021AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE
AOZ1210AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE
TNY274GN STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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AOZ1021AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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