Audio mosfet di potere IRFR224, alto potere di superficie del mosfet di potere dello smd del supporto
multi emitter transistor
,silicon power transistors
ELENCO DI COLLEZIONI
| BD135 | 5000 | PH | 12+ | TO-126 |
| BT151-800R | 5000 | 16+ | TO-220 | |
| BT152-800R | 5000 | 12+ | TO-220 | |
| BTS410E2 | 5000 | 16+ | TO-263220 | |
| BYM11-800 | 5000 | VISHAY | 16+ | DO-213AB |
| CA3140 | 5000 | INTERSIL | 16+ | SOP8 |
| DS2432P | 5000 | MASSIMO | 16+ | SOJ6 |
| ERJ-3EKF3000V | 5000 | Panasonic | 16+ | SMD |
| ERJ-3EKF8062V | 5000 | panasonic | 14+ | SMD |
| HCPL-7800 | 5000 | AVAGO | 16+ | DIP/SOP |
| HEF4046BP | 5000 | 16+ | IMMERSIONE | |
| HIN202ECBNZ | 5000 | INTERSIL | 15+ | SOP16 |
| ICL7660CBAZ | 5000 | INTERSIL | 16+ | SOP-8 |
| IP101A | 5000 | ICPLUS | 15+ | QFP |
| IR2112 | 5000 | IR | 12+ | DIP-14 |
| IRFB41N15D | 5000 | IR | 16+ | TO-220 |
| KBPC3506 | 5000 | SETTEMBRE | 12+ | KBPC |
| KBU808 | 5000 | SETTEMBRE | 16+ | KBU-4 |
| L9144 | 5000 | St | 16+ | SOP-20 |
| L9700D | 5000 | St | 16+ | SOP8 |
| LM1117MPX-3.3 | 5000 | NS | 16+ | SOT223 |
| LM1876TF | 5000 | NS | 16+ | ZIP |
| LM2904DR | 5000 | TI | 14+ | SOP-8 |
| LM2936Z-5.0 | 5000 | NSC | 16+ | TO-92 |
| LM2940CT-5 | 5000 | NS | 16+ | TO-220 |
| LM311DR | 5000 | TI | 15+ | SOP-8 |
| LM318M | 5000 | NS | 16+ | SOP8 |
| LM741H | 5000 | NS | 15+ | CAN8 |
| LMH6624MA | 5000 | NS | 12+ | SOP8 |
| LP2980IM5X-5.0 | 5000 | NS | 16+ | SOT-153 |
| M908Q4CPE | 5000 | FREESCAL | 12+ | DIP8 |
| M95256-WMW6 | 5000 | St | 16+ | SOP-8 |
| MAX1487ESA | 5000 | MASSIMO | 16+ | CONTENTINO |
| MAX489CPD | 5000 | MASSIMO | 16+ | IMMERSIONE |
| MB3759PF-G-BND-JN-ERE1 | 5000 | FUJITU | 16+ | CONTENTINO |
| MBR20100CT | 5000 | SU | 16+ | TO-220 |
| MBRB2060CT | 5000 | SU | 14+ | TO-263 |
| MC34064D-5R2G | 5000 | SU | 16+ | SOP8 |
| MCP810T-485I/TT | 5000 | MICROCHIP | 16+ | CONTENTINO |
| MOC3021 | 5000 | FAIRCHILD | 15+ | SMD6 |
| MPSA18 | 5000 | SU | 16+ | TO-92 |
IRFR224
Mosfet di potere dello smd del mosfet di potere del MOSFET di potere audio
CARATTERISTICHE
• Valutazione dinamica di dV/dt
• Valanga ripetitiva valutata
• Supporto di superficie (IRFR224/SiHFR224)
• Cavo diritto (IRFU224/SiHFU224)
• Disponibile in nastro ed in bobina
• Commutazione veloce
• Facilità di parallelizzazione
• Disponibile senza del cavo (Pb)
DESCRIZIONE
I MOSFETs di potere della terza generazione formano Vishay per fornire al progettista la migliore combinazione di commutazione veloce, di progettazione resa resistente del dispositivo, di su resistenza bassa e di redditività. Il DPAK è progettato per il montaggio di superficie facendo uso della fase di vapore, dell'infrarosso, o delle tecniche del solderig dell'onda. La versione diritta del cavo (serie di IRFU/SiHFU) è per il attraverso-foro che monta le applicazioni. I livelli fino a 1,5 W della dissipazione di potere sono possibili in supporto di superficie tipico
applicazioni.
AOZ1021AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE
AOZ1210AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE
TNY274GN STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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AOZ1021AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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