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Mosfet per tutti gli usi del mosfet di potere lineare del MOSFET di potere IRFR9214

Mosfet per tutti gli usi del mosfet di potere lineare del MOSFET di potere IRFR9214
Mosfet per tutti gli usi del mosfet di potere lineare del MOSFET di potere IRFR9214
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto D-Pak della superficie 50W (TC) di P-Manica 250 V 2.7A (TC)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
VDS (v):
-250
RDS (sopra) (Ω):
VGS = - 10 V /3.0
Qg (massimo) (nC:
14
Qgs (nC):
3,1
Qgd (nC):
6,8
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

ELENCO DI COLLEZIONI

NC7SZ04M5X 5000 FAIRCHILD 15+ SOT23-5
PCA82C251 5000 12+ SOP-8
PZTA42T1G 5000 SU 16+ SOT223
RBV5006 5000 EIC 12+ RBV-4
RUEF250 5000 RAYCHEM 16+ IMMERSIONE
ST3232ECDR 5000 St 16+ SOP-16
SW-289 5000 MA/COM 16+ SOP14
TL072CDR 5000 TI 16+ SOP8
TL7705BCP 5000 TI 16+ SOP8
TPS2041BDBVR 5000 TI 14+ SOT23-5
TPS5430DDAR 5000 TI 16+ SOP8
CTT DI UCLAMP0511P 5000 SEMTECH 16+ MICREL
ULN2003ADRG3 5000 TI 15+ SOP16
SN75C1406N 5002 TI 16+ SOP-16
B340A-13-F 5008 DOIDES 15+ SMA
REG1117-3.3 5008 BB 12+ SOT223
SST25VF032B-80-4I-S2AF 5010 SST 16+ SOP8
TPS79730DCKR 5018 TI 12+ SC70-5
2SC3355 5100 NEC 16+ TO-92
DAC0808LCN 5100 NSC 16+ DIP16
FDS4435 5100 FAIRCHILD 16+ SOP-8
LT1963EST-2.5 5100 LT 16+ SOT-223
X5045P 5100 XICOR 16+ DIP8
DAC7554IDGS 5110 TI 14+ MSOP-10
AM26LV32IDR 5120 TI 16+ SOP16
CS51412EDR8G 5120 SU 16+ SOP8
LM2940T-12 5120 NS 15+ TO-220
LM6132BIMX 5120 NS 16+ SOP8
RC5057M 5120 FAIRCHILD 15+ SOP16
SN75ALS180DR 5120 TI 12+ SOP-14
UGN3503UA 5120 ALLEGRO 16+ TO-92
BD241C 5123 FSC 12+ TO-220

IRFR9214

Mosfet per tutti gli usi del mosfet di potere lineare del MOSFET di potere

CARATTERISTICHE

• P-Manica

• Supporto di superficie (IRFR9214/SiHFR9214)

• Cavo diritto (IRFU9214/SiHFU9214)

• Tecnologia della trasformazione avanzata

• Commutazione veloce

• Completamente valanga valutata

• Disponibile senza del cavo (Pb)

DESCRIZIONE

I MOSFETs di potere della terza generazione da Vishay utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo che i MOSFETs di potere sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni. Il DPAK è progettato per il montaggio di superficie facendo uso della fase di vapore, dell'infrarosso, o delle tecniche di saldatura dell'onda. La versione diritta del cavo (serie di IRFU/SiHFU) è per il montaggio del attraverso-foro

applicazioni. Livelli fino a 1,5 W di dissipazione di potere

sia possibile nelle applicazioni di superficie tipiche del supporto.

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