Si raddoppiano i transistor di alto potere del MOSFET della fossa di potere di 30 volt FDS4935BZ
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Mosfet Array 30V 6.9A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di Scolo-fonte:
– 30 V
Tensione di Portone-fonte:
+25 V
Vuoti corrente – continuo:
– 6,9 A
Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento:
– controllo di qualità 55 - +150
Resistenza termica, giunzione--ambientale:
78 qC/W
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduzione
ELENCO DI COLLEZIONI
| BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MODULO |
| LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
| NCN1188MUTAG | 8480 | SU | 16+ | UQFN |
| NCN1154MUTAG | 8400 | SU | 16+ | UQFN |
| LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
| L78L05ABD | 10000 | St | 15+ | SOP8 |
| AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
| PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
| BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | IMMERSIONE |
| LTC4441IMSE | 6207 | LINEARE | 14+ | MSOP |
| PA0173NLT | 7386 | IMPULSO | 16+ | CONTENTINO |
| P0926NL | 8560 | IMPULSO | 16+ | CONTENTINO |
| PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
| PH150S280-24 | 914 | Lambda | 16+ | IGBT |
| LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MODULO |
| CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | CONTENTINO |
| NS8002 | 40000 | NSIWAY | 16+ | CONTENTINO |
| MP8707EN-LF-Z | 5854 | MP | 16+ | CONTENTINO |
| MAP3202 | 3234 | MAGNACHIP | 16+ | CONTENTINO |
| PS20660-MRZ | 200 | MITSUBISH | 05+ | MODULO |
| PK55GB80 | 80 | SANREX | 12+ | MODULO |
| BSM200GD60DLC | 368 | EUPEC | 14+ | MODULO |
| LV8401V-TLM-E | 5128 | SU | 16+ | SSOP |
| 2DI150D-050C | 991 | FUJI | 14+ | MODULO |
| QM50HA-H | 300 | MITSUBISH | 13+ | MODULO |
| XC3S250E-4TQG144C | 1968 | XILINX | 15+ | QFP144 |
| CY7C68014A-100AXC | 1156 | CYPRESS | 15+ | QFP |
| LP2985A-10DBVR | 4710 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
| PB4350 | 10940 | 16+ | SOT-23 | |
| M27C512-70XF1 | 4087 | St | 16+ | IMMERSIONE |
| QM200DY-H | 250 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
| ATTINY85-20PU | 500 | ATMEL | 14+ | DIP-8 |
| A50L-0001-0284 | 100 | FUJI | 10+ | MODULO |
| PC357N1TJ00F | 10000 | TAGLIENTE | 16+ | CONTENTINO |
| 2MBI150US-120-50 | 388 | FUJI | 14+ | MODULO |
| 2MBI75P-140 | 523 | FUJI | 12+ | MODULO |
| LNK364PN | 4211 | POTERE | 15+ | DIP-7 |
| RA30H2127M | 200 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
| CM110YE4-12F | 228 | MITSUBI | 15+ | MODULO |
| MRF321 | 642 | MOT | 14+ | TO-55s |
| A3972SB | 1000 | ALLEGRO | 13+ | DIP-24 |
| MR4010 | 6253 | SHINDENGE | 16+ | TO220-7 |
| PMD1000 | 5000 | ALLEGRO | 10+ | QFP-48 |
| LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
| M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
| BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
| MAX4312EEE+T | 3600 | MASSIMO | 14+ | QSOP |
| LTC1967CMS8 | 1628 | LINEARE | 15+ | MSOP |
| PM200CLA120 | 100 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| MAX5160MEUA | 14950 | MASSIMO | 16+ | MSOP |
| P89C51RC+JB | 1140 | PHILIPS | 15+ | QFP |
| MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | FREESCALE | 15+ | QFP |
| PBY201209T-601Y-S | 20000 | YAGEO | 16+ | SMD |
| PACDN046M | 10620 | CMD | 16+ | MSOP8 |
| XQ18V04VQ44N | 890 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| MAX17126BETM | 6650 | MASSIMO | 15+ | QFN |
| CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
| LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| BL05A | 888 | SU | 12+ | SOP-8 |
| BT4830 | 2322 | ASTA | 15+ | ZIP |
| BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
| M51996AFP | 3334 | RENESAS | 16+ | CONTENTINO |
| M25PE20-VMN6TP | 4331 | St | 16+ | CONTENTINO |
| MB81F643242B-10FN | 6418 | FUJI | 15+ | TSSOP |
| MPC5200CVR400B | 588 | FREESCALE | 14+ | BGA |
| XC2C64A-7VQG44I | 200 | XILINX | 14+ | VQFP44 |
| XC6SLX100-3CSG484I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
| PESD3V3L5UY | 30000 | 16+ | BEONE |
FDS4935BZ
Si raddoppia il MOSFET di PowerTrench di P-Manica di 30 volt
Caratteristiche
x – 6,9 A, – 30 V. RDS (SOPRA) = 22 m.:
@ VGS = – 10 V RDS (SOPRA) = 35 m.:
@ VGS = – 4,5 V
la x ha esteso la gamma di VGSS (– 25V) per le applicazioni della batteria
diodo di protezione di x ESD (nota 3)
tecnologia della fossa di rendimento elevato di x per estremamente - RDS basso (SOPRA)
alto potere di x e capacità di trattamento corrente
Descrizione generale
Questo MOSFET di P-Manica è stato destinato specificamente per migliorare l'efficienza globale dei convertitori di DC/DC facendo uso dei regolatori sincroni o convenzionali di commutazione PWM e dei caricabatterie.
Questi MOSFETs caratterizzano la commutazione più veloce e la tassa più bassa del portone che altri MOSFETs con le specifiche comparabili di RDS (SOPRA). Il risultato è progettazioni dell'alimentazione elettrica di DC/DC e) ai very high frequency anche (da guidare più sicuro e facile è che del MOSFET con più alta efficienza globale.
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MOQ:
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