Invia messaggio
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > 60V N - mosfet di commutazione FDS9945 di potere del MOSFET della fossa di potere di Manica

60V N - mosfet di commutazione FDS9945 di potere del MOSFET della fossa di potere di Manica

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie 8-SOIC di matrice 60V 3.5A 1W del Mosfet
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di Scolo-fonte:
60 V
Tensione di Portone-fonte:
±20 V
Scolo Curren:
3,5 A
Dissipazione di potere per la singola operazione:
2 W
Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento:
°C -55 - +175
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduzione

ELENCO DI COLLEZIONI

MSP3420GB8V3 6596 MSP 15+ IMMERSIONE
LTV8141 10000 LITEON 16+ IMMERSIONE
MAX6301CSA 4076 MASSIMO 16+ CONTENTINO
LM2841XBMKX 10188 NSC 15+ SOT-23-5
LMC7111BIM5 10000 NSC 14+ SOT-23-5
LM3876T 543 NSC 13+ ZIP-11
LMC6062AIM 4239 NSC 14+ SOP-8
LMV431BIMF 10000 NSC 15+ SOT-23
MAX8682ETM 5146 MASSIMO 16+ QFN
LMC6572BIM 4338 NSC 14+ SOP-14
LMC6482IMX 2999 NSC 15+ SOP-8
LM7301IM5 4926 NSC 15+ SOT-23-5
PAL007A 3260 MOSFET 14+ ZIP
MS5540-CM 6519 MEASUYEME 16+ SMD
88AP270MA2-BHE1C520 320 MARVELL 15+ BGA
MT9171AN 7471 ZARLINK 16+ SSOP
MRF184 6393 MOT 14+ SMD
MURS140 25000 SU 16+ DO-214
BGY68 3500 14+ MOKUAI
PESD5V2S2UT 25000 16+ BEONE
LM26CIM5-TPA 5000 NSC 14+ SOT-23-5
CM1200HB-66H 213 MITSUBI 14+ MODULO
LPC11C24FBD48 4833 15+ LQFP-48
CM30TF-24H 313 MITSUBI 15+ MODULO
7MBR50SB120 230 FUJI 12+ MODULO
MAX209EWG 7850 MASSIMO 14+ CONTENTINO
LXT970AQC 4907 LEVELONE 10+ QFP
MSP430FG4619IPZ 6834 TI 16+ LQFP
NCP1052ST136T3G 9280 SU 16+ SOT-223
MAX17121ETG 6550 MASSIMO 16+ QFN
MAC97A6 25000 SU 16+ TO-92
MPC89E58AF 5910 MEGAWIN 16+ PQFP
CS4398-CZZR 2234 CIRRUS 15+ TSSOP
LC4064V-75TN100-10I 3070 GRATA 15+ QFP
ME0550-02DA 595 IXYS 14+ IGBT
MDD26-14N1B 5902 IXYS 16+ IGBT
MT9V024IA7XTM 2499 SU 15+ BGA
MCC21-1408B 4756 IXYS 14+ IGBT
CM100DU-24NFH 378 MITSUBI 15+ MODULO
6RI100E-080 958 FUJI 15+ MODULO
PM150RSD060 250 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PK160F-160 120 SANREX 11+ MODULO
LC540 3081 TI 15+ TSSOP
OP20FZ 596 ANNUNCIO 16+ CDIP
PCA9554PWR 12420 TI 16+ TSSOP
M1494NC180 479 WESTCODE 14+ MODULO
LM4890MM 30000 NSC 15+ MSOP-8
MHW6342T 6304 MOT 15+ CATV
CM450HA-5F 233 MITSUBI 14+ MODULO
PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE
PM200RSA060 120 MITSUBISH 13+ MOUDLE
MSM5219BGS-K-7 550 OKI 14+ QFP
PS11003-C 500 MITSUBISH 12+ MODULO
MB87020PF-G-BND 3531 FUJITSU 14+ QFP
MA2820 7689 SHINDENG 16+ ZIP
7MBP150RTB060 210 FUJI 12+ MODULO
MBM200HS6B 629 HITACHI 14+ MODULO
PM25RSK120 320 MITSUBISH 10+ MOUDLE
QM150DY-H 150 MITSUBISH 13+ MODULO
PWB130A40 120 SANREX 14+ MODULO
LA1185 3928 SANYO 14+ SIP9


FDS9945

mosfet di commutazione di potere del MOSFET di PowerTrench di N-Manica 60V

Caratteristiche

· 3,5 A, 60 V. RDS (SOPRA) = 0.100W @ VGS = 10 V RDS (SOPRA) = 0.200W @ VGS = 4.5V

· Ottimizzato per uso nella commutazione dei convertitori di DC/DC con i regolatori di PWM

· Commutazione veloce stessa

· Tassa bassa del portone.

Descrizione generale

Questo il MOSFET del livello logico di Manica di N è stato destinato specificamente per migliorare l'efficienza globale dei convertitori di DC/DC facendo uso dei regolatori sincroni o convenzionali di commutazione PWM.

La commutazione più veloce della caratteristica del MOSFET e la tassa più bassa del portone che l'altro MOSFET con le specifiche comparabili di RDS (sopra)

Il risultato è un MOSFET che è facile e più sicuro da guidare

(anche ai very high frequency) e progettazioni dell'alimentazione elettrica di DC/DC con più alta efficienza globale.

PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123  della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
5pcs