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Mosfet complementare di potere del transistor del Mosfet di potere di MJE15032G MJE15033G

Mosfet complementare di potere del transistor del Mosfet di potere di MJE15032G MJE15033G
Mosfet complementare di potere del transistor del Mosfet di potere di MJE15032G MJE15033G
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 250 V 8 un 30MHz 50 W attraverso il foro TO-220
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
tensione dell'Collettore-emettitore:
250 VCC
Tensione del collettore-Bsae:
250 VCC
Tensione dell'emettitore-Bsae:
5,0 VCC
Corrente di Bsae:
2,0 ADC
Temperatura di giunzione di funzionamento:
℃ -65 - +150
Temperatura di stoccaggio:
℃ -65 - +150
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
BCX71G 48000 FAIRCHILD 15+ SOT-23
UC3842 49825 SU 16+ DIP-8
2SA1774TLR 50000 ROHM 16+ SOT23-3
2SC3355 50000 NEC 14+ TO-92
FDN338P 50000 FSC 14+ SOT-23
KIA78L08 50000 KEC 14+ SOT89
SS13 50000 VISHAY 16+ SMA
MBT2907ALT1G 51200 SU 16+ SOT-23
BAV70 52000 13+ SOT23
SK16 52000 MOSPEC 15+ SMA
UMX1N 60000 ROHM 16+ SOT363
NJM4558D-#ZZZB 70000 CCR 16+ DIP8
2SA1586-GR 78000 TOSHIBA 14+ SOT-323
SMBJ18A 88000 VISHAY 14+ DO-214AA
UC3842BD1013TR 90000 St 14+ SOP8
FR607 98000 MIC 16+ R-6
BC857BLT1G 99000 SU 16+ SOT-23
78L05 100000 TI 13+ TO92
AP8022 100000 CHIPOWN 15+ DIP-8
SMBJ12CA 101000 VISHAY 16+ SMB
BC847BLT1G 117000 SU 16+ SOT-23
BAT54A 6000 14+ SOT-23
2N7002P 3000 14+ STO-23
AD9957BSVZ 2010 ADI 14+ QFP
BY500-800 2015 VISHAY 16+ DO-201
LM311P 2020 TI 16+ DIP8
XC5VSX95T-1FFG1136C 525 XILINX 13+ BGA
XC5VSX95T-1FFG1136I 530 XILINX 15+ BGA
AD9958BCPZ 2035 ANNUNCIO 16+ BGA
BD237 2040 16+ IMMERSIONE

MJE15032 (NPN), MJE15033 (PNP)

Transistor di potenza di plastica del silicio complementare

8,0 AMPÈRI DI SILICIO COMPLEMENTARE DEI TRANSISTOR DI POTENZA 250 VOLT, 50 WATT

Progettato per uso come driver di high−frequency in amplificatori audio.

Caratteristiche

• Il guadagno corrente di CC ha specificato a 5,0 ampèri

hFE = 70 (min) @ IC = 0,5 ADC

= 10 (min) @ IC = 2,0 ADC

• Tensione di mantenimento di Collector−Emitter

− VCEO (sus) = 250 VCC (min) di − MJE15032, MJE15033

• Prodotto a corrente forte di larghezza di banda del − di guadagno

fT = 30 megahertz (min) @ IC = mAdc 500

• Pacchetto del compatto di TO−220AB

• UL a resina epossidica 94 V−0 @ 0,125 di raduni dentro

• Valutazioni di ESD: Modello di macchina C

Modello 3B del corpo umano

• I pacchetti di Pb−Free sono Available*

VALUTAZIONI MASSIME

VALUTAZIONE

SIMBOLO

VALORE

UNITÀ

Tensione dell'Collettore-emettitore

VCEO

250

VCC

Tensione del collettore-Bsae

VCB

250

VCC

Tensione dell'emettitore-Bsae

VEB

5,0

VCC

Corrente di collettore - continua

- Picco

IC

8,0

16

ADC

Corrente di Bsae

IB

2,0

ADC

Dissipazione di potere totale @TC=25℃

Riduca le imposte su sopra 25℃

Palladio

50

0,40

W

W/℃

Dissipazione di potere totale @TA=25℃

Riduca le imposte su sopra 25℃

Palladio

2,0

0,016

W

W/℃

Gamma di temperature della giunzione di funzionamento e di stoccaggio

TJ, TSTG

-65 - +150

℃

DIMENSIONI DEL PACCHETTO

TO−220

CASO 221A−09

EDIZIONE AA

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