Transistor del Mosfet di potere basso Dmg2307l-7, minimo del modulo del mosfet di potere su resistenza
power mosfet ic
,multi emitter transistor
ELENCO DI COLLEZIONI
2SD1408Y | 3000 | TOSHIBA | 16+ | TO-220F |
10TPB47M | 9000 | SANYO | 16+ | SMD |
F931A106MAA | 1950 | NICHILON | 14+ | SMD |
AM26LS32ACNSR | 1600 | TI | 13+ | SOP-16 |
10TPC68M | 9000 | SANYO | 15+ | SMD |
10TPB33M | 9000 | SANYO | 15+ | SMD |
A6251M | 5800 | SANKEN | 11+ | DIP-8 |
A6251M | 2230 | SANKEN | 16+ | DIP-8 |
H1061 | 3460 | COLPISCA | 14+ | TO-220 |
XC5CSX95T-2FF1136I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
FSDM0265RN | 3460 | FAIRCHILD | 16+ | DIP-8 |
MOC3083 | 5588 | FSC | 16+ | IMMERSIONE |
GP1A52HRJ00F | 3460 | TAGLIENTE | 15+ | IMMERSIONE |
PIC24FJ128GB106-I/PT | 4173 | MICROCHIP | 15+ | TQFP |
C393C | 1380 | NEC | 16+ | DIP-8 |
DS1220AD-100IND+ | 500 | DALLAS | 15+ | DIP-24 |
ME15N10-G | 5956 | MATSU | 16+ | TO-252 |
D3SB60 | 2200 | SHINDENGE | 14+ | TO-220 |
FT2232D | 3460 | FTDI | 14+ | QFP |
BCV49 | 8000 | INF | 16+ | SOT-89 |
2SA1941+2SC5198 | 3000 | TOSHIBA | 16+ | TO-3P |
LM5010SD | 1942 | NSC | 14+ | LLP-10 |
LM3916N-1 | 2134 | NSC | 11+ | DIP-8 |
L9823 | 2949 | St | 15+ | SOP24 |
XC95216-20PQ160I | 480 | XILINX | 12+ | QFP-160 |
74HC14D | 7500 | 16+ | CONTENTINO | |
DM-58 | 7740 | NMB | 13+ | SORSATA |
LA4629 | 2652 | SANYO | 14+ | ZIP-12 |
BFP183E6359 | 2100 | 15+ | SMD | |
BAS70-04LT1G | 15000 | SU | 15+ | SOT-23 |
BAS70-05LT1G | 15000 | SU | 15+ | SOT-23 |
HEF4050BT | 1520 | 15+ | CONTENTINO | |
EP1K30TC144-3 | 2370 | ALTERA | 16+ | TQFP144 |
MCR265-10 | 5782 | SU | 16+ | TO-220 |
GBPC3508W | 3460 | SETTEMBRE | 13+ | GBPC |
DMG2307L-7
Su resistenza bassa del MOSFET di MODO di POTENZIAMENTO di P-MANICA
Caratteristiche e benefici
• Su resistenza bassa
• Capacità introdotta bassa
• Velocità di commutazione veloce
• Senza piombo da progettazione/RoHS compiacenti (nota 1)
• Dispositivo «verde» (nota 2)
• Qualificato alle norme AEC-Q101 per alta affidabilità
Dati meccanici
• Caso: SOT-23
• Materiale di caso: Plastica modellata, composto di modellatura «verde». Classificazione di infiammabilità dell'UL che valuta 94V-0 • Sensibilità di umidità: Livello 1 per J-STD-020
• Indicatore dei collegamenti terminali: Vedi il diagramma
• Terminali: Il ⎯ Matte Tin di rivestimento ha temprato sopra leadframe di rame. Solderable per MIL-STD-202,
Metodo 208
• Peso: approssimativo 0,08 grammi (

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
