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Transistor del Mosfet di potere di NJW0281G NJW0302G, transistor di potenza di NPN PNP

Transistor del Mosfet di potere di NJW0281G NJW0302G, transistor di potenza di NPN PNP
Transistor del Mosfet di potere di NJW0281G NJW0302G, transistor di potenza di NPN PNP
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Foro passante TO-3P-3L
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Pyapal
Specifiche
Collector-Emitter Voltage:
250 Vdc
Tensione della Collettore-base:
250 VCC
Tensione emittenta-base:
5,0 VCC
Base Current:
1.5 Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25°C:
150 Watts
Operating and Storage Junction Temperature:
- 65 to +150 °C
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduzione

Transistor del Mosfet di potere di NJW0281G NJW0302G, transistor di potenza di NPN PNP

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
AT91SAM7S64C-AU 3522 ATMEL 14+ QFP
ATMEGA88PA-AU 3554 ATMEL 14+ QFP
BFG135 3586 14+ SOT-223
BTA40-600B 3618 St 16+ TO-3
IR2184PBF 3650 IR 16+ DIP-8
PIC18F452-I/P 3682 MICROCHIP 13+ QFP
PC-5P-3a1b-24V 3714 Panasonic 15+
PIC18LF4520-I/PT 3746 MICROCHIP 16+ QFP
ADF4360-4BCPZ 3778 ANNUNCIO 16+ LFCSP
ADM2483BRWZ 3810 ANNUNCIO 14+ CONTENTINO
BCM3349KFBG 3842 BROADCOM 14+ BGA
LMD18200T 3874 NS 14+ ZIP11
USBN9603-28M 3906 NS 16+ SOP-28
PIC18F2550-I/SP 3938 MICROCHIP 16+ DIP-28
IRFP360 3970 IR 13+ TO-247
HCF4053BM1 4002 St 15+ CONTENTINO
ADP3338AKC-1.8-RL7 4034 ANNUNCIO 16+ SOT-223
BA3308F-E2 4066 ROHM 16+ SOP-14
SPW47N60C3 4098 INF 14+ TO-247
6RI100G-160 4130 FUJI 14+ MODULO
AD620AN 4162 ANNUNCIO 14+ IMMERSIONE
AD8139ACPZ 4194 ANNUNCIO 16+ QFN
ADC0804LCN 4226 NS 16+ IMMERSIONE
AT89S8253-24PU 4258 ATMEL 13+ IMMERSIONE
DF10S 4290 SETTEMBRE 15+ SMD-4
FZT651TA 4322 ZETEX 16+ SOT223
OPA4227PA 4354 BB 16+ IMMERSIONE
TMS320C50PQ80 4386 TI 14+ QFP
Z85C3008PSC 4418 ZILOG 14+ DIP40
GT60M104 4450 TOS 14+ TO-3PL

NJW0281G (NPN)

NJW0302G (PNP)

Transistor bipolari di potere complementare di NPN-PNP

15 AMPÈRI DI TRANSISTOR DI POTENZA COMPLEMENTARI DEL SILICIO 250 VOLT, 150 WATT

Questi dispositivi complementari sono versioni di potere più basso transistor uscita popolare di NJW1302G e di NJW3281G di audio. Con le linearità di guadagno e la prestazione superiori di area di funzionamento sicuro, questi transistor sono ideali per gli stadi di uscita dell'amplificatore audio di alta fedeltà ed altre applicazioni lineari.

Caratteristiche

• Area eccezionale di funzionamento sicuro

• Guadagno di NPN/PNP che corrisponde all'interno di 10% da 50 mA a 3 A

• Linearità eccellenti di guadagno

• Alto BVCEO

• Ad alta frequenza

• Questi sono dispositivi senza Pb Bene

Benefici

• Prestazione affidabile agli più alti poteri

• Caratteristiche simmetriche nelle configurazioni complementari

• Riproduzione accurata del segnale in ingresso

• Maggior gamma dinamica

• Alto App di larghezza di banda dell'amplificatore

Applicazioni

• Audio prodotti del consumatore di qualità superiore

* amplificatori domestici

* ricevitori domestici

• Amplificatori audio professionali

* sistemi acustici dello stadio e del teatro

* sistemi di diffusione sonora (passo di danza) MAXI

VALUTAZIONI MASSIME

Valutazione Simbolo Valore Unità
Tensione dell'Collettore-emettitore VCEO 250 VCC
Tensione della Collettore-base VCBO 250 VCC
Tensione emittenta-base VEBO 5,0 VCC
Tensione dell'Collettore-emettitore - 1,5 V VCEX 250 VCC

Corrente di collettore - corrente di collettore continua

- Picco (nota 1)

 IC

15

30

 ADC
Corrente di base - continuo IB 1,5 ADC
Dissipazione di potere totale @ TC = 25°C Palladio 150 Watt
Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento TJ, Tstg - 65 - +150 °C

Gli sforzi che superano le valutazioni massime possono danneggiare il dispositivo. Le valutazioni massime sono valutazioni di sforzo soltanto. L'operazione funzionale sopra le condizioni di gestione raccomandate non è implicata. L'esposizione estesa agli sforzi sopra le condizioni di gestione raccomandate può colpire l'affidabilità del dispositivo.

1. Prova di impulso: Larghezza di impulso = 5,0 spettrografia di massa, duty cycle < 10="">

DIMENSIONI DEL PACCHETTO

TO-3P-3LD

CASO 340AB-01

EDIZIONE A

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