Transistor di commutazione del Mosfet di potere TIP50, mosfet ad alta tensione di potere
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
NE5532P | 10000 | TI | 16+ | IMMERSIONE |
LM833N | 5074 | NSC | 15+ | DIP-16 |
LTC4242CG | 6415 | LINEARE | 14+ | SSOP |
LT3580EMS8E#TRPBF | 3426 | LINEARE | 10+ | MSOP |
MCP2120-I/SL | 5140 | MICROCHIP | 14+ | CONTENTINO |
MCP1416RT-E/OT | 4966 | MICROCHIP | 14+ | SOT-23 |
MAX1921EUT33+T | 7400 | MASSIMO | 10+ | BEONE |
OPA2677U | 7220 | TI | 16+ | SOP-8 |
LM393DR | 40000 | TI | 15+ | SOP-8 |
BQ24702PWG4 | 5600 | TI | 12+ | TSSOP24 |
A1220LUA-T | 5100 | ALLEGRO | 15+ | SIP-3 |
PIC18F67J11-I/PT | 4288 | MICROCHIP | 14+ | TQFP |
MC68HC711E9CFN2 | 3730 | MOTOROLA | 10+ | PLCC |
LM317DCYR | 4000 | TI | 15+ | SOT-223 |
MAX3224EAP+T | 1850 | MASSIMO | 14+ | SSOP |
0451007.MR | 10000 | LITTELFUSE | 15+ | SMD |
PIC18F4680-I/P | 4388 | MICROCHIP | 14+ | QFP |
LSM303DTR | 7750 | St | 16+ | LGA-16 |
MAX1674EUA+T | 6250 | MASSIMO | 16+ | MSOP |
P1504EDG | 10000 | NIKO | 16+ | TO-252 |
MMBZ15VAL-7-F | 25000 | DIODI | 16+ | SOT-23 |
X9314WSZ | 6303 | INTERSIL | 15+ | SOP-8 |
NCP1529ASNT1G | 11440 | SU | 16+ | SOT23-5 |
PCF7991AT/1081/M | 12800 | 13+ | CONTENTINO | |
LPC1756FBD80 | 912 | 15+ | LQFP-80 | |
LP3470M5-2.93 | 3029 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
LM2767M5X | 3000 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
NTR1P02LT1G | 38000 | SU | 15+ | SOT-23 |
MMBD4148CA | 20000 | CJ | 16+ | SOT-23 |
PIC12F615-I/SN | 5428 | MICROCHIP | 16+ | CONTENTINO |
TIP47/48/49/50
Applicazioni ad alta tensione e di commutazioni
• Alta tensione di mantenimento: VCEO (sus) = 250 - 400V
• 1A ha valutato la corrente di collettore
Transistor del silicio di NPN
Valutazioni massime assolute TC =25°C salvo indicazione contraria
Simbolo | Parametro | Valore | Unità |
VCBO |
Tensione della Collettore-base: TIP47 : TIP48 : TIP49 : TIP50 |
350 400 450 500 |
V V V V |
VCEO |
Tensione dell'Collettore-emettitore: TIP47 : TIP48 : TIP49 : TIP50 |
250 300 350 400 |
V V V V |
VEBO | Tensione emittenta-base | 5 | V |
IC | Corrente di collettore (CC) | 1 | |
ICP | Corrente di collettore (impulso) | 2 | |
IB | Corrente di base | 0,6 | |
PC | Dissipazione del collettore (TC =25°C) | 40 | W |
PC | Dissipazione del collettore (Ta=25°C) | 2 | W |
TJ | Temperatura di giunzione | 150 | °C |
TSTG | Temperatura di stoccaggio | - 65 ~ 150 | °C |
Caratteristiche tipiche
Pacchetto Demensions
TO-220

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
