Mosfet di commutazione ad alta velocità di potere del transistor del Mosfet di potere FS3KM-9A#B00
power mosfet ic
,silicon power transistors
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
ICM7211AMIQH | 2177 | MASSIMO | 15+ | PLCC44 |
ICM7218BIJI | 2128 | INTERSIL | 16+ | DIP-28 |
ICM7555ISA+T | 7263 | MASSIMO | 16+ | CONTENTINO |
ICS501M | 13486 | ICS | 13+ | SOP-8 |
ICS542MILF | 2436 | IDT | 06+ | SOP-8 |
IDG-2020 | 2483 | INVENSENS | 13+ | QFN |
IDT7132SA100P | 8650 | IDT | 16+ | IMMERSIONE |
IDT71V124SA10PHG | 2079 | IDT | 14+ | TSOP-32 |
IDT7201LA50J | 4619 | IDT | 00+ | PLCC |
IDT74ALVC164245PAG | 6881 | IDT | 15+ | TSSOP |
IKW40T120 | 7085 | 16+ | TO-247 | |
IKW50N60T | 4078 | 14+ | TO-247 | |
IKW75N60T | 3696 | 13+ | TO-247 | |
IL420 | 3961 | VISHAY | 13+ | DIP-6 |
ILQ621GB | 2307 | VISHAY | 13+ | DIP-16 |
ILQ74 | 6004 | VISHAY | 16+ | DIP-16 |
IM03GR | 16005 | TYCO | 16+ | SMD |
INA101AG | 364 | TI | 12+ | DIP-14 |
INA110SG | 1498 | TI | 12+ | CDIP-16 |
INA118UB | 2360 | TI | 15+ | SOIC-8 |
INA121U/2K5G4 | 2330 | TI | 15+ | SOP-8 |
INA122U | 3809 | TI | 14+ | SOP-8 |
INA122UA | 4600 | TI | 15+ | CONTENTINO |
INA132UA/2K5 | 5750 | TI | 14+ | SOP-8 |
INA138NA | 7872 | TI | 16+ | SOT23-5 |
INA155UA/2K5 | 6852 | TI | 15+ | SOP-8 |
INA168NA/3K | 4279 | TI | 16+ | SOT23-5 |
INA2128U/1K | 2281 | TI | 14+ | SOP-16 |
INA331IDGKR | 14035 | TI | 13+ | MSOP |
INA826AIDR | 5661 | TI | 15+ | SOP-8 |
MOSFET FS3KM-10 di POTERE di MITSUBISHI Nch
USO DI COMMUTAZIONE AD ALTA VELOCITÀ
VDSS ................................................................................ 500V
RDS (SOPRA) (max) ................................................................. 4.4Ω
Identificazione ......................................................................................... 3A
Viso ................................................................................ 2000V
APPLICAZIONE
SMPS, convertitore cc-cc, caricabatteria, alimentazione elettrica della stampante, copiatrice, HDD, FDD, TV, videoregistratore, ecc. con computer personale.
VALUTAZIONI MASSIME (TC = 25°C)
Simbolo | Parametro | Circostanze | Valutazioni | Unità |
VDSS | tensione di Scolo-fonte | VGS = 0V | 500 | V |
VGSS | tensione di Portone-fonte | VDS = 0V | ±30 | V |
Identificazione | Vuoti corrente | 3 | ||
IDM | Corrente dello scolo (pulsata) | 9 | ||
Palladio | Dissipazione di potere massima | 30 | W | |
Tch | Temperatura di Manica | – 55 ~ +150 | °C | |
Tstg | Temperatura di stoccaggio | – 55 ~ +150 | °C | |
Viso | Tensione di isolamento | CA per 1minute, terminale da rivestire | 2000 | Vrms |
Peso | Valore tipico | 2,0 | g |
DISEGNO DI PROFILO
TO-220FN

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
