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Transistor del mosfet di alto potere del transistor del Mosfet di potere di P4NK60ZFP

Transistor del mosfet di alto potere del transistor del Mosfet di potere di P4NK60ZFP
Transistor del mosfet di alto potere del transistor del Mosfet di potere di P4NK60ZFP
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Drain-source Voltage:
600 V
Drain-gate Voltage:
600 V
Gate- source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
4.5 V/ns
L'isolamento resiste alla tensione:
2500 V
Operating Junction Temperature:
-55 to 150 °C
Punto culminante:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduzione

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
MAX191BCWG+ 2338 MASSIMO 16+ SOIC-24
MAX1932ETC+T 3044 MASSIMO 13+ QFN
MAX232EIDR 50000 TI 13+ SOP-16
MAX232IDW 9003 TI 11+ SOP-16
MAX253CSA+ 6562 MASSIMO 14+ SOP-8
MAX3051EKA+T 3853 MASSIMO 14+ SOT-23
MAX3061EEKA 4024 MASSIMO 15+ SOT23-8
MAX3070EESD 5557 MASSIMO 16+ SOP-14
MAX31865ATP+T 3707 MASSIMO 16+ QFN20
MAX3221ECPWR 3059 TI 16+ TSSOP
MAX3224ECAP 4095 MASSIMO 16+ SSOP-20
MAX3232CPWR 5697 TI 16+ TSSOP
MAX3232CUE 3986 MASSIMO 16+ TSSOP
MAX3232EIDR 3667 TI 16+ SOP-16
MAX3238ECPWR 8331 TI 10+ TSSOP
MAX3243CDBR 3590 TI 14+ SSOP-28
MAX3243ECDBR 6741 TI 09+ SSOP-28
MAX32590-LNJ+ 553 MASSIMO 13+ Na
MAX3311CUB 2302 MASSIMO 16+ MSOP-10
MAX3311EEUB 2324 MASSIMO 16+ MSOP-10
MAX3442EEPA+ 3095 MASSIMO 16+ DIP-8
MAX3442EESA+T 5829 MASSIMO 16+ SOP-8
MAX3486CSA 15889 MASSIMO 16+ SOP-8
MAX3490CSA+ 11077 MASSIMO 13+ SOP-8
MAX4080SASA+T 15089 MASSIMO 16+ SOP-8
MAX418CPD 3034 MASSIMO 14+ DIP-14
MAX4624EZT 15171 MASSIMO 16+ SOT23-6
MAX4663CAE 2151 MASSIMO 16+ SSOP-16
MAX472CPA 4115 MASSIMO 15+ DIP-8
MAX491CPD+ 14840 MASSIMO 16+ DIP-14

STP4NK60Z-STP4NK60ZFP-STB4NK60Z-1

STB4NK60Z-STD4NK60Z-STD4NK60Z-1

N-CHANNEL600V-1.76Ω-4ATO-220/FP/DPAK/IPAK/D2PAK/I2PAK

MOSFET Zener-protetto di SuperMESH™Power

■Ω TIPICO 1,76 di RDS (sopra) =

■CAPACITÀ ESTREMAMENTE ALTA di dv/dt

■LA VALANGA 100% HA PROVATO

■LA TASSA DEL PORTONE HA MINIMIZZATO

■CAPACITÀ INTRINSECHE BASSE STESSE

■BUON REPEATIBILITY FABBRICANTE STESSO

DESCRIZIONE

La serie di SuperMESH™ è ottenuta con un'ottimizzazione estrema della disposizione stripbased affermata del PowerMESH™ della st. Oltre a spingere la su resistenza significativamente, la cura speciale è presa per assicurare una capacità molto buona di dv/dt per le applicazioni più esigenti. Tali serie complementa la gamma completa della st di MOSFETs ad alta tensione compreso i prodotti rivoluzionari di MDmesh™.

APPLICAZIONI

■COMMUTAZIONE A CORRENTE FORTE E AD ALTA VELOCITÀ

■IDEALE PER LE ALIMENTAZIONI ELETTRICHE, GLI ADATTATORI E PFC OFFLINE

■ILLUMINAZIONE

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

Simbolo Parametro Valore Unità

STP4NK60Z

STB4NK60Z

STB4NK60Z-1

 STP4NK60ZFP

STD4NK60Z

STD4NK60Z-1
VDS tensione di Scolo-fonte (VGS = 0) 600 V
VDGR tensione del Scolo-portone (RGS = kΩ 20) 600 V
VGS Tensione di fonte di portone ± 30 V
Identificazione Vuoti corrente (continuo) a TC = 25°C 4 4 (*) 4
Identificazione Vuoti corrente (continuo) a TC = 100°C 2,5 2,5 (*) 2,5
IDM (•?) Corrente dello scolo (pulsata) 16 16 (*) 16
PTOT Dissipazione totale a TC = 25°C 70 25 70 W
Ridurre le imposte su fattore 0,56 0,2 0,56 W/°C
VESD (G-S) Fonte ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KΩ) del portone 3000 V
dv/dt (1) Pendio di punta di tensione di recupero del diodo 4,5 V/ns
VISO L'isolamento resiste alla tensione (CC) - 2500 - V

Tj

Tstg

Temperatura di giunzione di funzionamento

Temperatura di stoccaggio

-55 - 150

-55 - 150

 °C

(•??) larghezza di impulso limitata da area di funzionamento sicuro

(1) ISD ≤4A, di/dt ≤200A/µs, ≤ V (BR) DSS, ≤ TJMAX di VDD di Tj.

(*) ha limitato soltanto dalla temperatura massima conceduta

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