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MOSFET di N-Manica del mosfet CI di potere del transistor del Mosfet di potere FQP30N06

MOSFET di N-Manica del mosfet CI di potere del transistor del Mosfet di potere FQP30N06
MOSFET di N-Manica del mosfet CI di potere del transistor del Mosfet di potere FQP30N06
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 60 V 30A (Tc) 79W (Tc) Through Hole TO-220-3
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Drain-Source Voltage:
60 V
Gate-Source Voltage:
± 25 V
Singola energia pulsata della valanga:
280 mJ
Avalanche Current:
30 A
Repetitive Avalanche Energy:
7.9 mJ
Operating and Storage Temperature:
-55 to +175 °C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
MCIMX535DVV1C 1066 FREESCALE 14+ BGA
MCIMX6S7CVM08AC 769 FREESCALE 16+ BGA
MCP100T-270I/TT 68000 MICROCHIP 15+ SOT23-3
MCP100T-315I/TT 57000 MICROCHIP 16+ SOT23-5
MCP100T-450I/TT 58000 MICROCHIP 10+ SOT23-3
MCP120T-315I/TT 24000 MICROCHIP 14+ SOT-23
MCP1252-33X50I/MS 6935 MICROCHIP 16+ MSOP
MCP1525T-I/TT 22350 MICROCHIP 14+ SOT23-3
MCP1700T-1802E/MB 11219 MICROCHIP 16+ SOT-89
MCP1700T-1802E/TT 17041 MICROCHIP 06+ SOT23-3
MCP1700T-3302E/MB 14911 MICROCHIP 09+ SOT-89
MCP1700T-3302E/TT 87000 MICROCHIP 12+ SOT-23
MCP1700T-5002E/TT 6249 MICROCHIP 16+ SOT-23
MCP1702T-3302E/MB 8308 MICROCHIP 13+ SOT-89
MCP1703T-5002E/DB 6320 MICROCHIP 13+ SOT-223
MCP1825ST-3302E/DB 5514 MICROCHIP 16+ SOT-223
MCP1826T-3302E/DC 6845 MICROCHIP 15+ SOT223-5
MCP2122-E/SN 7708 MICROCHIP 13+ SOP-8
MCP23S17-E/SO 8974 MICROCHIP 15+ SOP-28
MCP2551-I/SN 7779 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP2551T-E/SN 3957 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5841 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3202-CI/SN 5770 MICROCHIP 15+ SOP-8
MCP3208-CI/P 8740 MICROCHIP 15+ IMMERSIONE
MCP3421AOT-E/CH 12828 MICROCHIP 16+ SOT23-6
MCP3422AO-E/SN 3875 MICROCHIP 10+ SOP-8
MCP3424-E/SL 8273 MICROCHIP 16+ SOP-14
MCP3551-E/SN 7817 MICROCHIP 16+ SOP-8
MCP41050T-I/SN 4450 MICROCHIP 11+ SOP-8
MCP41100-I/SN 3572 MICROCHIP 15+ SOP-8

FQP30N06

MOSFET di N-Manica 60V

Descrizione generale

Questi transistor di effetto di campo di potere del modo di potenziamento di N-Manica sono prodotti facendo uso di Fairchild privata, la banda planare, la tecnologia di DMOS.

Questa tecnologia avanzata è stata adattata particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato, fornire la prestazione di commutazione superiore e resiste all'impulso dell'alta energia nel modo di commutazione e della valanga. Questi dispositivi sono ben adattati per le applicazioni di bassa tensione quali i convertitori di CC e automobilistici di CC e l'alta efficienza che commuta per la gestione di potere in prodotti portatili ed a pile.

Caratteristiche

• 30A, 60V, RDS (sopra) = 0.04Ω @VGS = 10 V

• Tassa bassa del portone (19 tipici nC)

• Crss basso (40 tipici PF)

• Commutazione veloce

• la valanga 100% ha provato

• Capacità migliore di dv/dt

• valutazione massima di temperatura di giunzione 175°C

Valutazioni massime assolute TC = 25°C salvo indicazione contraria

Simbolo Parametro FQP30N06 Unità
VDSS Tensione di Scolo-fonte 60 V
Identificazione

Vuoti corrente - continuo (TC = 25°C)

- Continuo (TC = 100°C)

 30
21,3
IDM Vuoti corrente - pulsato (nota 1) 120
VGSS Tensione di Portone-fonte ± 25 V
EAS Singola energia pulsata della valanga (nota 2) 280 mJ
IAR Corrente della valanga (nota 1) 30
ORECCHIO Energia ripetitiva della valanga (nota 1) 7,9 mJ
dv/dt Recupero di punta del diodo dv/dt (nota 3) 7,0 V/ns
Palladio

Dissipazione di potere (TC = 25°C)

- Riduca le imposte su sopra 25°C

 79 W
0,53 W/°C
TJ, TSTG Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento -55 - +175 °C
TL Temperatura massima per gli scopi di saldatura, 1/8" del cavo dall'argomento per 5 secondi 300 °C

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