Mosfet di commutazione PLANARE di potere del SILICIO di ZTX653 NPN (TRANSISTOR di MEDIA POTENZA)
Specifiche
VCBO:
120 V
VCEO:
100 V
VEBO:
5 V
ICM:
6 A
IC:
2 A
Punto culminante:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduzione
ZTX653
Mosfet di commutazione PLANARE di potere del SILICIO di NPN (TRANSISTOR di MEDIA POTENZA)
CARATTERISTICHE
* 100 volt VCEO
* una corrente continua di 2 amp
* tensione di saturazione bassa
* watt Ptot=1
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE
PARAMETRO | SIMBOLO | ZTX653 | UNITÀ |
Tensione della Collettore-base | VCBO | 120 | V |
Tensione dell'Collettore-emettitore | VCEO | 100 | V |
Tensione emittenta-base | VEBO | 5 | V |
Corrente di picco | ICM | 6 | |
Corrente di collettore continua | IC | 2 | |
La dissipazione di potere a Tamb=25°C riduce le imposte su sopra 25°C | Ptot |
1 5,7 |
W mW/°C |
Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento | Tj: Tstg | -55 - +200 | °C |
ELENCO DI COLLEZIONI
AX3131ESA | 2170 | AXELITE | 16+ | SOP-8 |
DCP020507U | 1150 | BB | 16+ | SOP-12 |
AT89C2051-24SU | 2300 | ATMEL | 13+ | SOP-20 |
HCF4051M013TR | 3460 | St | 14+ | CONTENTINO |
HEF4015BT | 1520 | 15+ | CONTENTINO | |
HGTG27N120BN | 1520 | FAIRCHILD | 16+ | TO-247 |
ATTINY45-20SU | 2500 | ATMEL | 14+ | SOP-8 |
BCP53T1G | 12000 | SU | 15+ | SOT-223 |
BCP56T1G | 12000 | SU | 15+ | SOT-223 |
EP3C10F256C6N | 2100 | ALTERA | 16+ | BGA |
25LC512-I/SN | 3000 | MICROCHIP | 15+ | CONTENTINO |
AD8113JSTZ | 2450 | ANNUNCIO | 16+ | QFP100 |
AT91RM9200-QU-002 | 2500 | ATMEL | 16+ | QFP208 |
HCPL-7800 | 1520 | AVAGO | 16+ | DIP-8 |
DAC7554IDGSR | 1625 | TI | 15+ | MSOP-10 |
ATMEGA64A-MU | 2500 | ATMEL | 16+ | QFN-64 |
ISL6227CAZ-T | 7760 | INTERSIL | 12+ | SSOP-28 |
EV1527 | 1950 | EV | 15+ | SOP-8 |
BC868-25 | 12000 | 16+ | SOT-89 | |
CXA3796N | 3375 | SONY | 16+ | TSSOP-24 |
HCF4049UM013TR | 3460 | St | 16+ | CONTENTINO |
GS-R405S | 3460 | St | 16+ | IMMERSIONE |
DAP013F | 1450 | SU | 16+ | SOP-13 |
HUF75545P3 | 2460 | FAIRCHILD | 13+ | TO-220 |
HFBR-2521Z | 1520 | AVAGO | 16+ | ZIP |
HD6412240FA20 | 1520 | RENESAS | 15+ | QFP |
EN5336QI | 2580 | ENPIRION | 16+ | QFN |
4816P-1-102 | 3000 | RUSCELLI | 16+ | SOP-16 |
ADG3300BRUZ | 2000 | ANNUNCIO | 15+ | TSSOP |
EL817S-F |
2760 | EVERLIGH | 15+ | SOP-4 |
AM26LV32CDR | 1600 | TI | 16+ | CONTENTINO |
2SK955 | 3000 | FUJI | 16+ | TO-3P |
25LC256-I/P | 3000 | MICROCHIP | 14+ | IMMERSIONE |
AT26DF081A-SU | 2300 | ATMEL | 16+ | CONTENTINO |
FDS6930B | 2200 | FSC | 13+ | SOP-8 |
FDLL4448 | 2200 | FSC | 15+ | LL34 |
PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
50pcs