Mosfet CI di potere del transistor del Mosfet di potere di IRFB20N50KPBF
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Pulsed Drain Current:
80 A
Power Dissipation:
280 W
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 30 V
Recupero di punta dv/dt del diodo:
6,9 V/ns
Operating Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150°C
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
| MMBT4403LT1G | 24000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT5401LT1G | 27000 | SU | 16+ | SOT-23 |
| MMBT5550 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
| MMBT5551LT1G | 15000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT6427 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
| MMBTA06-7-F | 9000 | DIODI | 15+ | SOT-23 |
| MMBTA13LT1G | 9000 | SU | 16+ | SOT-23 |
| MMBTA14 | 6000 | FSC | 05+ | SOT23-3 |
| MMBTA42LT1G | 9000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5230BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBZ5234BLT1G | 18000 | SU | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5248BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBZ5257BLT1G | 18000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5V6ALT1G | 18000 | SU | 10+ | SOT-23 |
| MMSZ2V4T1G | 12000 | SU | 14+ | SOD-123 |
| MMSZ2V7T1G | 9000 | SU | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ4681T1G | 12000 | SU | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ4684T1G | 12000 | SU | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ4689T1G | 9000 | SU | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ5234B-7-F | 12000 | DIODI | 12+ | SOD-123 |
| MMSZ5243BT1G | 21000 | LRC | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ5250BT1G | 21000 | SU | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ5254BT1G | 9000 | SU | 14+ | SOD-323 |
| MMSZ5255B | 9000 | DIODI | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ6V2T1G | 9000 | SU | 13+ | SOD-123 |
| MOC3022S-TA1 | 22000 | LITEON | 15+ | SMD |
| MOC3023M | 14343 | FSC | 16+ | DIP-6 |
| MOC3023SR2M | 7397 | FSC | 16+ | SOP-6 |
| MOC3023S-TA1 | 30000 | LITEON | 14+ | SMD-6 |
| MOC3030 | 6391 | FSC | 14+ | DIP-6 |
MOSFET di IRFB20N50KPbF SMPS
HEXFET? MOSFET di potere
Applicazioni
- Alimentazione elettrica di modo del commutatore (SMPS)
- Gruppo di continuità
- Commutazione di potenza ad alta velocità
- Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza
- Senza piombo
Benefici
- Risultati bassi di Qg della tassa del portone nel requisito semplice dell'azionamento
- Portone, valanga ed irregolarità migliori di Dynamicdv/dt
- Capacità e tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate
- RDS basso (sopra)
Valutazioni massime assolute
| Parametro | Massimo. | Unità | |
| Identificazione @ TC = 25°C | Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V | 20 | |
| Identificazione @ TC = 100°C | Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V | 12 | |
| IDM | Corrente pulsata dello scolo? | 80 | |
| Palladio @TC = 25°C | Dissipazione di potere | 280 | W |
| Fattore riducente le imposte lineare | 2,2 | W/°C | |
| VGS | Tensione di Portone--fonte | ± 30 | V |
| dv/dt | Recupero di punta dv/dt del diodo | 6,9 | V/ns |
|
TJ TSTG |
Giunzione di funzionamento e Gamma di temperature di stoccaggio |
-55 + a 150 | °C |
| Temperatura di saldatura, per 10 secondi (1.6mm dal caso) | 300 | °C | |
| Montando coppia di torsione, 6-32 o vite M3 | 10 | N |
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MOQ:
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