Monofase del Mosfet di potere KBP210 del Mosfet di potere lineare della fossa raddrizzatori a ponte passivati di vetro di 2,0 amp
power mosfet ic
,silicon power transistors
Monofase del Mosfet di potere KBP210 del Mosfet di potere lineare della fossa raddrizzatori a ponte passivati di vetro di 2,0 amp
CARATTERISTICHE
Ideale del ‧ per il circuito stampato
Il ‧ si solleva la valutazione di sovraccarico: Di punta 60 ampèri
Saldatura ad alta temperatura del ‧: 260O C/10 secondi ai terminali
Prodotto libero del Pb del ‧ a disponibile: Sn di 99% sopra la richiesta direttiva della sostanza dell'ambiente di RoHS di raduno
DATI MECCANICI
Caso del ‧: Plastica modellata
Il ‧ protegge: Tasso dell'UL 94V-0 ignifugo
Cavo del ‧: MIL-STD-202E, metodo 208 ha garantito
Polarità del ‧: I simboli hanno modellato o segnato sul corpo
Posizione di montaggio del ‧: C'è ne
Peso del ‧: 2,74 grammi
VALUTAZIONI MASSIME E CARATTERISTICHE ELETTRICHE
Valutazioni del ‧ ad una temperatura ambiente di 25 ℃ salvo specificazione contraria. Monofase del ‧, semionda, 60 carichi resistenti o induttivi di hertz.
Il ‧ per il carico capacitivo, riduce le imposte su corrente da 20%.
ELENCO DI COLLEZIONI
PM200RSD060 | 230 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
PM200RSA060 | 120 | MITSUBISH | 13+ | MOUDLE |
MSM5219BGS-K-7 | 550 | OKI | 14+ | QFP |
PS11003-C | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
MB87020PF-G-BND | 3531 | FUJITSU | 14+ | QFP |
MA2820 | 7689 | SHINDENG | 16+ | ZIP |
7MBP150RTB060 | 210 | FUJI | 12+ | MODULO |
MBM200HS6B | 629 | HITACHI | 14+ | MODULO |
PM25RSK120 | 320 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
QM150DY-H | 150 | MITSUBISH | 13+ | MODULO |
PWB130A40 | 120 | SANREX | 14+ | MODULO |
LA1185 | 3928 | SANYO | 14+ | SIP9 |
BSM25GP120 | 458 | EUPEC | 15+ | MODULO |
LM2750LD-ADJ | 3000 | NSC | 14+ | QFN |
NCN1188MUTAG | 8480 | SU | 16+ | UQFN |
NCN1154MUTAG | 8400 | SU | 16+ | UQFN |
LM2745MTCX | 3000 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
L78L05ABD | 10000 | St | 15+ | SOP8 |
AT24C08BN-SH | 5000 | ATMEL | 15+ | SOP-8 |
PS21563-P | 500 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
BNX003-01 | 2058 | MURATA | 14+ | IMMERSIONE |
LTC4441IMSE | 6207 | LINEARE | 14+ | MSOP |
PA0173NLT | 7386 | IMPULSO | 16+ | CONTENTINO |
P0926NL | 8560 | IMPULSO | 16+ | CONTENTINO |
PM10CSJ060 | 145 | MITSUBISH | 10+ | MOUDLE |
PH150S280-24 | 914 | Lambda | 16+ | IGBT |
LM75CIMX-5 | 4325 | NSC | 14+ | SOP-8 |
PDT15016 | 392 | NIEC | 14+ | MODULO |
CXA3834M | 2531 | SONY | 15+ | CONTENTINO |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
