Transistor del Mosfet di potere della fossa di FDS5690 60V, mosfet lineare di potere dello smd
power mosfet ic
,silicon power transistors
Mosfet lineare di potere del mosfet di potere dello smd del MOSFET di PowerTrench di N-Manica di FDS5690 60V
Caratteristiche
• 7 A, 60 V.
RDS (sopra) = 0,028 Ω @ VGS = 10 V
RDS (sopra) = 0,033 Ω @ VGS = 6 V.
• Tassa bassa del portone (23nC tipico).
• Velocità di commutazione veloce.
• Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (SOPRA).
• Alto potere e capacità di trattamento corrente
Descrizione generale
Questo MOSFET di N-Manica è prodotto facendo uso del processo avanzato del PowerTrench a semiconduttore di Fairchild che è stato adattato particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato ma mantenere la prestazione di commutazione superiore.
Questi dispositivi sono ben adattati per bassa tensione e le applicazioni a pile dove la perdita di potere in-linea bassa e la commutazione veloce sono richieste.
Applicazioni
• Convertitore di DC/DC
• Azionamenti del motore
Caratteristiche tipiche
ELENCO DI COLLEZIONI
CA3224E | 1380 | INTERSIL | 15+ | DIP-22 |
AT24C04AN-10SU-2.7 | 1600 | ATMEL | 16+ | CONTENTINO |
CAT24C256YI-GT3 | 1380 | CATALIZZATORE | 13+ | TSSOP-8 |
SONO - 82008 | 2460 | AGILENT | 13+ | SOP-8 |
A3951SW | 2230 | ALLEGRO | 16+ | ZIP-12 |
D43256BGU-70LL | 2125 | NEC | 15+ | CONTENTINO |
A3952SW | 2230 | ALLEGRO | 15+ | ZIP-12 |
AM26LV32IDR | 1600 | TI | 15+ | SOP-16 |
BZX55C6V8 | 6000 | VISHAY | 13+ | DO-35 |
LTC1844ES5-3.3 | 16198 | LT | 16+ | BEONE |
2N6075AG | 3000 | SU | 16+ | TO-126 |
ADM206AR | 2000 | ANNUNCIO | 15+ | CONTENTINO |
DG307ACJ | 8520 | SIL | 15+ | IMMERSIONE |
MMBD5819LT1G | 40000 | SU | 16+ | SOD-123 |
2N6075A | 3000 | SU | 15+ | TO-126 |
PM150RSD120 | 50 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
5W393 | 1200 | TOSHIBA | 15+ | MSOP-8 |
BAT54S-GS08 | 15000 | VISHAY | 15+ | SOT-23 |
LM7812DZ | 10000 | WST | 15+ | TO-263 |
AK8856VN-L | 2000 | AKM | 16+ | QFN |
MC14001BCP | 10000 | SU | 16+ | IMMERSIONE |
74HC251 | 7500 | TI | 16+ | IMMERSIONE |
ADM3483EARZ | 2000 | ANNUNCIO | 15+ | SOP-8 |
HD6303YP | 1520 | COLPISCA | 16+ | IMMERSIONE |
74HC423D | 7500 | 16+ | CONTENTINO | |
DF60AA120 | 150 | SANREX | 16+ | MODULO |
74HC4067DB | 7500 | 16+ | SSOP | |
HD2001R | 1520 | HD | 15+ | IMMERSIONE |
DS18S20Z | 5310 | DALLAS | 15+ | SOP-8 |
DS1305E+T | 6240 | MASSIMO | 16+ | TSSOP-20 |
BD6211F-E2 | 5500 | ROHM | 16+ | SOP-8 |
G15N60RUFD | 3460 | FAIRCHILD | 16+ | TO-3P |
ICM7218BIQI | 1780 | MASSIMO | 15+ | PLCC20 |
A82C250 | 2450 | 16+ | SOP-8 | |
DSPIC30F5011-30I/PT | 3750 | MICROCHIP | 15+ | QFP |
2SD2499 | 3000 | TOSHIBA | 15+ | TO-3P |
AD524AD | 2450 | ANNUNCIO | 16+ | DIP-16 |
AD7711ANZ | 2450 | ANNUNCIO | 15+ | IMMERSIONE |
M25JZ51 | 4491 | TOSHIBA | 15+ | TO-3P |
LT1376CS8 | 9554 | LINEARE | 14+ | SOP-8 |
MPXA4115A6U | 6134 | MOTOROLA | 14+ | CONTENTINO |
XC4VSX55-11FFG1148I | 100 | XILINX | 15+ | BGA |
AT89C4051-24PU | 2300 | ATMEL | 14+ | IMMERSIONE |
2SA1930+2SC5171 | 6402 | TOSHIBA | 15+ | TO-220 |
2SA1930+2SC5171 | 3000 | TOSHIBA | 15+ | TO-220 |
MOCD211 | 5658 | FAIRCHILD | 16+ | CONTENTINO |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
