Invia messaggio
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Transistor singola P - transistor del Mosfet di potere di FDS9435A di effetto di campo di Manica

Transistor singola P - transistor del Mosfet di potere di FDS9435A di effetto di campo di Manica

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Drain-Source Voltage:
–30 V
Gate-Source Voltage:
±25 V
Operating Junction Temperature:
–55 to +175 °C
Storage Temperature:
–55 to +175 °C
Drain Current (Continuous):
–5.3 A
Thermal Resistance, Junction-to-Case:
25 °C/W
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduzione

Transistor singola P - transistor del Mosfet di potere di FDS9435A di effetto di campo di Manica

Descrizione generale

Questo MOSFET di P-Manica è una versione irregolare del portone del processo avanzato del PowerTrench a semiconduttore di Fairchild. È stato ottimizzato per le applicazioni che della gestione di potere richiedere una vasta gamma ha dato le valutazioni di tensione di controllo (4.5V – 25V).

Applicazioni

· Gestione di potere

· Commutatore del carico

· Protezione della batteria

Caratteristiche

· – 5,3 A, – 30 V RDS (SOPRA) = 50 Mw @ VGS = – 10 V

RDS (SOPRA) = 80 Mw @ VGS = – 4,5 V

· Tassa bassa del portone

· Velocità di commutazione veloce

· Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (SOPRA)

· Alto potere e capacità di trattamento corrente

TUM =25℃ di valutazioni massime assolute salvo indicazione contraria

Simbolo Parametro Valutazioni Unità
VDSS Tensione di Scolo-fonte -30 V
VGSS Tensione di Portone-fonte ±25 V
Identificazione

Vuoti corrente – continuo (nota 1a)

– Pulsato

-5,3
-50
Palladio

Dissipazione di potere per la singola operazione (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

2,5 W
1,2
1
TJ, TSTG Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio e di funzionamento -55 - +175 °C

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
H11G1SR2M 3977 FAIRCHILD 10+ SOP-6
H11L1SR2M 14256 FAIRCHILD 16+ CONTENTINO
H1260NL 10280 IMPULSO 15+ SMD
HA17324 3948 RENESAS 14+ DIP-14
HA17324ARPEL-E-Q 7361 RENESAS 15+ SOP-14
HCF4051BEY 3919 St 16+ IMMERSIONE
HCF4052M013TR 7598 St 13+ SOP-16
HCF4060BE 18658 St 14+ IMMERSIONE
HCNR200 6587 AVAGO 15+ DIPSOP
HCNR200-000E 7432 AVAGO 15+ IMMERSIONE
HCNW2611-000E 5720 AVAGO 16+ DIP-8
HCNW4502 6210 AVAGO 13+ CONTENTINO
HCPL-0466 3551 AVAGO 15+ SOP-8
HCPL-0630 15108 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL-0639 5791 FAIRCHILD 13+ SOP-8
HCPL-181-000E 9000 AVAGO 16+ SOP-4
HCPL-2602 8795 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL2630SD 2204 FSC 16+ CONTENTINO
HCPL-2731 15179 AVAGO 13+ DIPSOP
HCPL-3120 9870 AVAGO 15+ DIPSOP
HCPL-316J 13751 AVAGO 12+ SOP-18
HCPL-4504 21001 AVAGO 16+ DIPSOP
HCPL-4506 12623 AVAGO 14+ DIP-8
HCPL-7840-500E 5971 AVAGO 15+ CONTENTINO
HCPL-786J 13822 AVAGO 16+ SOP-16
HD06-T 54000 DIODI 15+ SMD
HD64F3687FPV 3168 RENESAS 14+ TQFP-64
HD74LS00P 8647 RENESAS 16+ DIP-14
HD74LS04P 8718 RENESAS 13+ DIP-14
HD74LS125P 8931 RENESAS 15+ IMMERSIONE

PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123  della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
10pcs