Circuiti digitali del raddrizzatore a ponte del silicio di monofase del transistor del Mosfet di potere di KBPC5010 50.0A CI
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Circuiti digitali del raddrizzatore a ponte del silicio di monofase del transistor del Mosfet di potere di KBPC5010 50.0A CI
Caratteristiche
* questa serie è UL elencata nell'ambito dell'indice componente riconosciuto, il numero di archivio E142814
* la materia plastica usata porta il riconoscimento 94V-0 di infiammabilità del laboratorio dei sottoscrittori
* 4 terminali di modo, a scatto universale, avvolgente, lega per saldatura o montaggio di P.C. Board
* valutazioni di sovraccarico dell'impulso a 400 ampèri
* cassa elettricamente isolata del metallo per dissipazione di calore massima
* caso a tensione terminale 2500V di isolamento
Dati meccanici
Caso: Cassa del metallo
Terminali: .25" placcato (6.35mm) Faston
Peso: 1,116 once, (approssimativo) 31,6 grammi
Posizione di montaggio: Trangugi con il composto termico del silicone fra il ponte ed il montaggio
superficie per efficienza massima del trasferimento di calore
Montaggio della coppia di torsione: massimo 20 in-libbre
ELENCO DI COLLEZIONI
RSN3502C | 50 | SANYO | 02+ | MODULO |
BTA08-600BW | 10000 | St | 16+ | TO-220A |
BTA40-800B | 3114 | St | 14+ | RD91 |
MSP3420G-QA-B8-V3 | 6603 | MICRONAS | 16+ | QFP |
MAX3430EPA | 12600 | MASSIMO | 16+ | IMMERSIONE |
MG25J6ES40 | 617 | TOSHIBA | 16+ | MODULO |
LM317K | 10000 | UTC | 14+ | SOT-223 |
P89C52X2BN | 10180 | 16+ | IMMERSIONE | |
XCF16PFSG48C | 402 | XILINX | 14+ | BGA |
MUR3020WT | 7674 | SU | 16+ | TO-247 |
SAB80C535-N | 2000 | SIEMENS | 05+ | PLCC |
MG75Q1BS11 | 622 | TOSHIBA | 15+ | MODULO |
PS21965-AT | 120 | MITSUBISH | 10+ | MODULO |
PIC16F876-04I/SP | 4883 | MICROCHIP | 15+ | IMMERSIONE |
MAX536BCWE | 510 | MASSIMO | 16+ | CONTENTINO |
MAX232CPE | 10000 | MASSIMO | 16+ | IMMERSIONE |
MCP4021-103E/SN | 5326 | MICROCHIP | 16+ | CONTENTINO |
NT5TU64M16GG-AC | 4300 | NANYA | 15+ | BGA |
OPA4134PA | 7680 | TI | 14+ | IMMERSIONE |
A7800A | 7588 | AVAGO | 15+ | SOP-8/DIP-8 |
MIG100J6CSB1W | 305 | TOSHIBA | 14+ | MODULO |
LA4705N | 2663 | SANYO | 15+ | ZIP-18 |
PALC22V10D-10PC | 10680 | CYPRESS | 16+ | IMMERSIONE |
MC68LC040RC25A | 259 | FREESCALE | 15+ | PGA |
XC4005E-4PC84C | 300 | XILINX | 10+ | PLCC84 |
MC68302RC16C | 274 | MOT | 15+ | PGA |
MBI5039GP | 14324 | MBI | 16+ | SSOP |
MIC4424YM | 6520 | MICREL | 16+ | CONTENTINO |
MCIMX287CVM4B | 4858 | FREESCALE | 15+ | BGA |
OB2358AP | 6227 | OB' | 16+ | IMMERSIONE |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

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