Invia messaggio
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Audio mosfet di potere di IRF1407PBF HEXFET, mosfet 92 A di potere della fossa

Audio mosfet di potere di IRF1407PBF HEXFET, mosfet 92 A di potere della fossa

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 75 V 130A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Continuous Drain Current, VGS @ 10V:
92 A
Pulsed Drain Current:
520 A
Linear Derating Factor:
2.5 W/°C
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduzione

Audio mosfet di potere di IRF1407PBF HEXFET, mosfet 92 A di potere della fossa

Applicazioni tipiche

La O ha integrato l'alternatore del dispositivo d'avviamento

O 42 volt di sistemi elettrici automobilistici

O senza piombo

Benefici

La O ha avanzato la tecnologia della trasformazione

Su resistenza ultrabassa della O

Valutazione dinamica della O dv/dt

Temperatura di funzionamento della O 175°C

Commutazione veloce della O

Valanga ripetitiva della O permessa fino a Tjmax

Descrizione

Specificamente progettato per le applicazioni automobilistiche, questa progettazione planare della banda dei MOSFETs di potere di HEXFET® utilizza le tecniche di trattamento più lastest per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Le caratteristiche supplementari di questo MOSFET di potere di HEXFET sono una temperatura di funzionamento della giunzione 175°C, la velocità velocemente di commutazione e valutazione ripetitiva migliore della valanga. Questi benefici si combinano per rendere a questa progettazione un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso nelle applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.

ELENCO DI COLLEZIONI

SN74LVC1G97DBVR 13766 TI 16+ SOT23-6
SN74LVC1G98DBVR 10922 TI 15+ SOT23-6
SN74LVC1T45DBVR 11714 TI 15+ SOT23-6
SN74LVC2G04DBVR 57500 TI 15+ SOT23-6
SN74LVC2G07DBVR 17906 TI 16+ SOT23-6
SN74LVC2G34DBVR 16646 TI 16+ SOT23-6
TMP123AIDBVR 3668 TI 13+ SOT23-6
TPD4E001DBVR 11048 TI 16+ SOT23-6
TPS22929DDBVR 4948 TI 16+ SOT23-6
TPS2513DBVR 17628 TI 16+ SOT23-6
TPS2552DBVR 3512 TI 13+ SOT23-6
TPS2553DBVR-1 12524 TI 13+ SOT23-6
TPS27081ADDCR 8960 TI 13+ SOT23-6
TPS3106K33DBVR 8208 TI 14+ SOT23-6
TPS3700DDCR 7330 TI 16+ SOT23-6
TPS3808G01QDBVRQ1 2858 TI 16+ SOT23-6
TPS3808G18QDBVRQ1 11672 TI 16+ SOT23-6
TPS3808G25DBVR 9972 TI 13+ SOT23-6
TPS3808G33DBVR 26420 TI 16+ SOT23-6
TPS61070DDCR 28124 TI 16+ SOT23-6
TPS73001DBVR 9906 TI 14+ SOT23-6
TS5A3159DBVR 9644 TI 16+ SOT23-6
TXB0101DBVR 13848 TI 14+ SOT23-6
TXS0101DBVR 14500 TI 16+ SOT23-6
SI3443BDV-T1-E3 20000 VISHAY 16+ SOT23-6
SI3443DV-T1 18068 VISHAY 14+ SOT23-6
SI3443DV-T1-E3 59500 VISHAY 16+ SOT23-6
SI3456CDV-T1-GE3 20500 VISHAY 16+ SOT23-6
SI3458DV-T1-E3 14162 VISHAY 16+ SOT23-6
SI3459DV-T1-E3 21000 VISHAY 16+ SOT23-6
SN74AHCT1G126DBVR 8500 TI 16+ SOT23-5
TPS62240DDCR 15852 TI 14+ SOT23-5
SN6501DBVR 23736 TI 14+ SOT23-5
SN65LVDS2DBVR 44536 TI 16+ SOT23-5
SN74AHC1G09DBVR 27000 TI 15+ SOT23-5
SN74AHC1G125DBVR 26500 TI 16+ SOT23-5
SN74AHCT1G04DCKR 16412 TI 14+ SOT23-5
SN74AHCT1G32DBVR 108000 TI 14+ SOT23-5
SN74LVC1G02DBVR 120000 TI 16+ SOT23-5
SN74LVC1G04DBVR 4006 TI 15+ SOT23-5
SN74LVC1G07DBVR 18000 TI 16+ SOT23-5
SN74LVC1G08DBVR 123000 TI 14+ SOT23-5
SN74LVC1G125DBVR 144000 TI 16+ SOT23-5
SN74LVC1G14DBVR 96000 TI 16+ SOT23-5
SN74LVC1G240DBVR 16574 TI 16+ SOT23-5
SN74LVC1G32DBVR 24000 TI 16+ SOT23-5
SN74LVC1G66DBVR 22500 TI 16+ SOT23-5
SN74LVC1G86DBVR 135000 TI 16+ SOT23-5
THS4304DBVR 2213 TI 16+ SOT23-5
TL331IDBVR 17132 TI 16+ SOT23-5
PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123  della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
100pcs