Audio mosfet di potere di IRF1407PBF HEXFET, mosfet 92 A di potere della fossa
power mosfet ic
,silicon power transistors
Audio mosfet di potere di IRF1407PBF HEXFET, mosfet 92 A di potere della fossa
Applicazioni tipiche
La O ha integrato l'alternatore del dispositivo d'avviamento
O 42 volt di sistemi elettrici automobilistici
O senza piombo
Benefici
La O ha avanzato la tecnologia della trasformazione
Su resistenza ultrabassa della O
Valutazione dinamica della O dv/dt
Temperatura di funzionamento della O 175°C
Commutazione veloce della O
Valanga ripetitiva della O permessa fino a Tjmax
Descrizione
Specificamente progettato per le applicazioni automobilistiche, questa progettazione planare della banda dei MOSFETs di potere di HEXFET® utilizza le tecniche di trattamento più lastest per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Le caratteristiche supplementari di questo MOSFET di potere di HEXFET sono una temperatura di funzionamento della giunzione 175°C, la velocità velocemente di commutazione e valutazione ripetitiva migliore della valanga. Questi benefici si combinano per rendere a questa progettazione un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso nelle applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
ELENCO DI COLLEZIONI
SN74LVC1G97DBVR | 13766 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN74LVC1G98DBVR | 10922 | TI | 15+ | SOT23-6 |
SN74LVC1T45DBVR | 11714 | TI | 15+ | SOT23-6 |
SN74LVC2G04DBVR | 57500 | TI | 15+ | SOT23-6 |
SN74LVC2G07DBVR | 17906 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN74LVC2G34DBVR | 16646 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TMP123AIDBVR | 3668 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPD4E001DBVR | 11048 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS22929DDBVR | 4948 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS2513DBVR | 17628 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS2552DBVR | 3512 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPS2553DBVR-1 | 12524 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPS27081ADDCR | 8960 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPS3106K33DBVR | 8208 | TI | 14+ | SOT23-6 |
TPS3700DDCR | 7330 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS3808G01QDBVRQ1 | 2858 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS3808G18QDBVRQ1 | 11672 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS3808G25DBVR | 9972 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPS3808G33DBVR | 26420 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS61070DDCR | 28124 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS73001DBVR | 9906 | TI | 14+ | SOT23-6 |
TS5A3159DBVR | 9644 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TXB0101DBVR | 13848 | TI | 14+ | SOT23-6 |
TXS0101DBVR | 14500 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SI3443BDV-T1-E3 | 20000 | VISHAY | 16+ | SOT23-6 |
SI3443DV-T1 | 18068 | VISHAY | 14+ | SOT23-6 |
SI3443DV-T1-E3 | 59500 | VISHAY | 16+ | SOT23-6 |
SI3456CDV-T1-GE3 | 20500 | VISHAY | 16+ | SOT23-6 |
SI3458DV-T1-E3 | 14162 | VISHAY | 16+ | SOT23-6 |
SI3459DV-T1-E3 | 21000 | VISHAY | 16+ | SOT23-6 |
SN74AHCT1G126DBVR | 8500 | TI | 16+ | SOT23-5 |
TPS62240DDCR | 15852 | TI | 14+ | SOT23-5 |
SN6501DBVR | 23736 | TI | 14+ | SOT23-5 |
SN65LVDS2DBVR | 44536 | TI | 16+ | SOT23-5 |
SN74AHC1G09DBVR | 27000 | TI | 15+ | SOT23-5 |
SN74AHC1G125DBVR | 26500 | TI | 16+ | SOT23-5 |
SN74AHCT1G04DCKR | 16412 | TI | 14+ | SOT23-5 |
SN74AHCT1G32DBVR | 108000 | TI | 14+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G02DBVR | 120000 | TI | 16+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G04DBVR | 4006 | TI | 15+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G07DBVR | 18000 | TI | 16+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G08DBVR | 123000 | TI | 14+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G125DBVR | 144000 | TI | 16+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G14DBVR | 96000 | TI | 16+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G240DBVR | 16574 | TI | 16+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G32DBVR | 24000 | TI | 16+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G66DBVR | 22500 | TI | 16+ | SOT23-5 |
SN74LVC1G86DBVR | 135000 | TI | 16+ | SOT23-5 |
THS4304DBVR | 2213 | TI | 16+ | SOT23-5 |
TL331IDBVR | 17132 | TI | 16+ | SOT23-5 |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
