Il vetro di superficie del supporto EGL41D-E3/97 ha passivato il modello ultraveloce del doppio diodo del raddrizzatore
power mosfet ic
,silicon power transistors
Il vetro di superficie del supporto EGL41D-E3/97 ha passivato il modello ultraveloce del doppio diodo del raddrizzatore
CARATTERISTICHE
• giunzione vetro-passivata senza cavità
• Ideale per la disposizione automatizzata
• Tempo di recupero inverso ultraveloce
• Perdite di commutazione basse, alta efficienza
• Alta capacità di impulso di andata
• Norma ambientale MIL-S-19500 di raduni
• Livello 1 di raduni MSL, per J-STD-020, SE un picco massimo di °C 250 • °C della immersione 260 della lega per saldatura, 40 s
• Componente nell'accordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC
APPLICAZIONI TIPICHE
Per uso nell'applicazione ad alta frequenza guidar in follee e di rettifica in convertitori ed invertitori di commutazione di modo per il consumatore, il computer, automobilistico e telecomunicazione.
DATI MECCANICI
Caso: DO-213AB, epossidico modellato sopra l'epossidico del corpo di vetro incontra la valutazione di infiammabilità dell'UL 94V-0
Terminali: I cavi, solderable placcati latta opaca per suffisso di JESD22-B102 e di J-STD-002 E3 per il grado di consumatore, incontra la prova delle basette della classe 1A di JESD 201, il suffisso HE3 per l'alto grado dell'affidabilità (CEA Q101 qualificata), incontra la prova delle basette della classe 2 di JESD 201
Polarità: Due bande indicano l'estremità del catodo - la prima banda denota il tipo di dispositivo e la seconda banda denota la valutazione di punta ripetitiva di tensione inversa
ELENCO DI COLLEZIONI
SI1555DL-T1 | 15098 | VISHAY | 14+ | SOT363 |
SN74LVC1G07DCKR | 141000 | TI | 13+ | SOT353 |
SN74LVC1G132DCKRG4 | 129000 | TI | 16+ | SOT353 |
SN74LVC1G240DCKR | 23000 | TI | 16+ | SOT353 |
TPS71550DCKR | 14604 | TI | 09+ | SOT353 |
TC7SH32FU | 141000 | TOSHIBA | 16+ | SOT353 |
TPD2EUSB30ADRTR | 14042 | TI | 12+ | SOT-3 |
VND14NV04TR | 8832 | St | 16+ | SOT-252 |
VS-50WQ04FNTRPBF | 5348 | VISHAY | 16+ | SOT-252 |
TCS20DLR | 13844 | TOSHIBA | 16+ | SOT-23F |
UP7501M8 | 10148 | UPI | 16+ | SOT23-8 |
UP7536AMA8 | 18068 | UPI | 16+ | SOT23-8 |
REF3225AIDBVR | 2210 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN65220DBVR | 14408 | TI | 13+ | SOT23-6 |
SN74AVC1T45DBVR | 9572 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN74LVC1G175DBVR | 13730 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN74LVC1G3157DBVR | 57000 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN74LVC1G373DBVR | 51500 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN74LVC1G97DBVR | 13766 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN74LVC1G98DBVR | 10922 | TI | 15+ | SOT23-6 |
SN74LVC1T45DBVR | 11714 | TI | 15+ | SOT23-6 |
SN74LVC2G04DBVR | 57500 | TI | 15+ | SOT23-6 |
SN74LVC2G07DBVR | 17906 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SN74LVC2G34DBVR | 16646 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TMP123AIDBVR | 3668 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPD4E001DBVR | 11048 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS22929DDBVR | 4948 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS2513DBVR | 17628 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS2552DBVR | 3512 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPS2553DBVR-1 | 12524 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPS27081ADDCR | 8960 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPS3106K33DBVR | 8208 | TI | 14+ | SOT23-6 |
TPS3700DDCR | 7330 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS3808G01QDBVRQ1 | 2858 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS3808G18QDBVRQ1 | 11672 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS3808G25DBVR | 9972 | TI | 13+ | SOT23-6 |
TPS3808G33DBVR | 26420 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS61070DDCR | 28124 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TPS73001DBVR | 9906 | TI | 14+ | SOT23-6 |
TS5A3159DBVR | 9644 | TI | 16+ | SOT23-6 |
TXB0101DBVR | 13848 | TI | 14+ | SOT23-6 |
TXS0101DBVR | 14500 | TI | 16+ | SOT23-6 |
SI3443BDV-T1-E3 | 20000 | VISHAY | 16+ | SOT23-6 |
SI3443DV-T1 | 18068 | VISHAY | 14+ | SOT23-6 |
SI3443DV-T1-E3 | 59500 | VISHAY | 16+ | SOT23-6 |
SI3456CDV-T1-GE3 | 20500 | VISHAY | 16+ | SOT23-6 |
SI3458DV-T1-E3 | 14162 | VISHAY | 16+ | SOT23-6 |

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

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