IRF640NPBF Mosfet di potenza Transistor mosfet generico HEXFET MOSFET di potenza
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Categoria:
Modulo di alimentazione IGBT
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Pulsed Drain Current:
72 A
Power Dissipation:
150 W
Linear Derating Factor:
1.0 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
247 mJ
Avalanche Current:
18 A
Punto culminante:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduzione
Array
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| Immagine | parte # | Descrizione | |
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Di riserva:
MOQ:
10pcs