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Mosfet complementare di potere del transistor del Mosfet di potere di IRFP044N

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC
Categoria:
Gestione CI di potere
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Pulsed Drain Current:
180 A
Power Dissipation:
120 W
Linear Derating Factor:
0.77 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 20 V
Single Pulse Avalanche Energy:
230 mJ
Avalanche Current:
28 A
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduzione

MOSFET di potere di IRFP044N HEXFET®

• Tecnologia della trasformazione avanzata

• Valutazione dinamica di dv/dt

• temperatura di funzionamento 175°C

• Commutazione veloce

• Completamente valanga valutata

Descrizione

La quinta generazione HEXFETs dal raddrizzatore internazionale utilizza le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il pacchetto TO-247 è preferito per i livelli di potere delle applicazioni di commerciale-industriale dove più su precludere l'uso dei dispositivi TO-220. Il TO-247 è simile ma superiore al pacchetto più in anticipo TO-218 a causa del suo foro di montaggio isolato.

Valutazioni massime assolute

Parametro Massimo. Unità
Identificazione @ TC = 25°C Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V 53
Identificazione @ TC = 100°C Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V 37
IDM Corrente pulsata dello scolo 180
Palladio @TC = 25°C Dissipazione di potere 120 W
Fattore riducente le imposte lineare 0,77 W/°C
VGS Tensione di Portone--fonte ± 20 V
EAS Singolo … del ‚ di energia della valanga di impulso 230 mJ
IAR  corrente della valanga 28
ORECCHIO  ripetitivo di energia della valanga 12 mJ
dv/dt Recupero di punta dv/dt del diodo 5,0 V/ns
TJ, TSTG Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione -55 + a 175 °C
Temperatura di saldatura, per 10 secondi 300 (1.6mm dal caso) °C
Montando coppia di torsione, 6-32 o vite M3 10 lbf•in (1.1N•m)

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
SLB9635TT1.2 27768 16+ TSSOP
SLB9635TT1.2FW3.19 27852 16+ TSSOP
UPD16510GR-8JG-E1 3074 NEC 04+ TSSOP
SC16IS740IPW 2963 10+ TSSOP
SC16IS762IPW 1565 13+ TSSOP
SC18IM700IPW 15672 07+ TSSOP
TDA8024TT/C1 17562 12+ TSSOP
R5F211B1SP#UO 3310 RENES 09+ TSSOP
S1A0071X01-RO 2774 SAMSUNG 07+ TSSOP
S-8253CAA-T8T1G 11248 SEIKO 16+ TSSOP
SII9002CSUTR 14198 SILICIO 07+ TSSOP
SIL1162CSU 4962 SILICIO 16+ TSSOP
SP3232EEY-L/TR 17694 SIPEX 13+ TSSOP
S29AL032D70 2813 SPANSION 16+ TSSOP
SST39VF1601-70-4C-EKE 8700 SST 10+ TSSOP
ST3243ECTR-E 3824 St 07+ TSSOP
TS922AIPT 13012 St 13+ TSSOP
RT9284A-20GJ6E 15962 RICHTEK 16+ TSOT23-6
S29GL01GP13TFIV10 2339 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P10TFI010 15812 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P10TFI020 1832 SPANSION 16+ TSOP56
S29GL256P90TFCR10 1961 SPANSION 13+ TSOP56
S29GL256P90TFIR20 1712 SPANSION 14+ TSOP56
S29GL512P11TFI010 1412 SPANSION 13+ TSOP56
S29GL512P11TFI020 1052 SPANSION 14+ TSOP56
SST39VF3201B-70-4I-EKE 10093 SST 16+ TSOP48
SST39VF6401B-70-4C-EKE 2246 SST 16+ TSOP48
TE28F800B5B90 1883 INTEL 16+ TSOP48
S29AL008J70TFI010 23520 SPANSION 12+ TSOP48
S29GL032A11TFIR4 13118 SPANSION 13+ TSOP48

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Di riserva:
MOQ:
10pcs