Mosfet complementare di potere del transistor del Mosfet di potere di IRFP044N
power mosfet ic
,silicon power transistors
MOSFET di potere di IRFP044N HEXFET®
• Tecnologia della trasformazione avanzata
• Valutazione dinamica di dv/dt
• temperatura di funzionamento 175°C
• Commutazione veloce
• Completamente valanga valutata
Descrizione
La quinta generazione HEXFETs dal raddrizzatore internazionale utilizza le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il pacchetto TO-247 è preferito per i livelli di potere delle applicazioni di commerciale-industriale dove più su precludere l'uso dei dispositivi TO-220. Il TO-247 è simile ma superiore al pacchetto più in anticipo TO-218 a causa del suo foro di montaggio isolato.
Valutazioni massime assolute
Parametro | Massimo. | Unità | |
---|---|---|---|
Identificazione @ TC = 25°C | Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V | 53 | |
Identificazione @ TC = 100°C | Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V | 37 | |
IDM | Corrente pulsata dello scolo | 180 | |
Palladio @TC = 25°C | Dissipazione di potere | 120 | W |
Fattore riducente le imposte lineare | 0,77 | W/°C | |
VGS | Tensione di Portone--fonte | ± 20 | V |
EAS | Singolo del di energia della valanga di impulso | 230 | mJ |
IAR | corrente della valanga | 28 | |
ORECCHIO | ripetitivo di energia della valanga | 12 | mJ |
dv/dt | Recupero di punta dv/dt del diodo | 5,0 | V/ns |
TJ, TSTG | Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione | -55 + a 175 | °C |
Temperatura di saldatura, per 10 secondi | 300 (1.6mm dal caso) | °C | |
Montando coppia di torsione, 6-32 o vite M3 | 10 lbf•in (1.1N•m) |
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Quantità | Marca | D/C | Pacchetto |
SLB9635TT1.2 | 27768 | 16+ | TSSOP | |
SLB9635TT1.2FW3.19 | 27852 | 16+ | TSSOP | |
UPD16510GR-8JG-E1 | 3074 | NEC | 04+ | TSSOP |
SC16IS740IPW | 2963 | 10+ | TSSOP | |
SC16IS762IPW | 1565 | 13+ | TSSOP | |
SC18IM700IPW | 15672 | 07+ | TSSOP | |
TDA8024TT/C1 | 17562 | 12+ | TSSOP | |
R5F211B1SP#UO | 3310 | RENES | 09+ | TSSOP |
S1A0071X01-RO | 2774 | SAMSUNG | 07+ | TSSOP |
S-8253CAA-T8T1G | 11248 | SEIKO | 16+ | TSSOP |
SII9002CSUTR | 14198 | SILICIO | 07+ | TSSOP |
SIL1162CSU | 4962 | SILICIO | 16+ | TSSOP |
SP3232EEY-L/TR | 17694 | SIPEX | 13+ | TSSOP |
S29AL032D70 | 2813 | SPANSION | 16+ | TSSOP |
SST39VF1601-70-4C-EKE | 8700 | SST | 10+ | TSSOP |
ST3243ECTR-E | 3824 | St | 07+ | TSSOP |
TS922AIPT | 13012 | St | 13+ | TSSOP |
RT9284A-20GJ6E | 15962 | RICHTEK | 16+ | TSOT23-6 |
S29GL01GP13TFIV10 | 2339 | SPANSION | 16+ | TSOP56 |
S29GL256P10TFI010 | 15812 | SPANSION | 16+ | TSOP56 |
S29GL256P10TFI020 | 1832 | SPANSION | 16+ | TSOP56 |
S29GL256P90TFCR10 | 1961 | SPANSION | 13+ | TSOP56 |
S29GL256P90TFIR20 | 1712 | SPANSION | 14+ | TSOP56 |
S29GL512P11TFI010 | 1412 | SPANSION | 13+ | TSOP56 |
S29GL512P11TFI020 | 1052 | SPANSION | 14+ | TSOP56 |
SST39VF3201B-70-4I-EKE | 10093 | SST | 16+ | TSOP48 |
SST39VF6401B-70-4C-EKE | 2246 | SST | 16+ | TSOP48 |
TE28F800B5B90 | 1883 | INTEL | 16+ | TSOP48 |
S29AL008J70TFI010 | 23520 | SPANSION | 12+ | TSOP48 |
S29GL032A11TFIR4 | 13118 | SPANSION | 13+ | TSOP48 |

AOZ1021AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE

AOZ1210AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE

TNY274GN STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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AOZ1021AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 3A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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AOZ1210AI Chip IC elettronico NUOVO E ORIGINALE |
Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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TNY274GN STOCK NUOVO E ORIGINALE |
Converter Offline Flyback Topology 132kHz SMD-8C
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