IRLL024NTRPBF Transistor Mosfet di potenza HEXFET® MOSFET di potenza a commutazione rapida
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
Categoria:
Gestione CI di potere
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Pulsed Drain Current:
12 A
Linear Derating Factor:
8.3 mW/°C
Gate-to-Source Voltage:
±16 V
Single Pulse Avalanche Energy:
120 mJ
Avalanche Current:
3.1 A
Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150 °C
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
Array
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Di riserva:
MOQ:
10pcs