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Modulo P doppia - Manica, MOSFET del Mosfet di potere FDS6975 di PowerTrenchTM

Modulo P doppia - Manica, MOSFET del Mosfet di potere FDS6975 di PowerTrenchTM
Modulo P doppia - Manica, MOSFET del Mosfet di potere FDS6975 di PowerTrenchTM
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Mosfet Array 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione di Scolo-fonte:
-30 V
Gate-Source Voltage:
±20 V
Vuoti corrente - continuo:
-6 A
Dissipazione di potere per l'operazione doppia:
2 W
Temperatura di stoccaggio e di funzionamento:
°C -55 - 150
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

FDS6975 si raddoppiano P-Manica, livello logico, MOSFET di PowerTrenchTM

Descrizione generale

Questi MOSFETs del livello logico di P-Manica sono prodotti facendo uso del processo avanzato del PowerTrench a semiconduttore di Fairchild che è stato adattato particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato ma mantenere la tassa bassa del portone per la prestazione di commutazione superiore.

Questi dispositivi sono ben adattati per le applicazioni informatiche di computer portatile: commutazione del carico e gestione di potere, circuiti caricantesi della batteria e conversione di DC/DC.

Caratteristiche

• -6 A, -30 V. RDS (SOPRA) = 0,032 W @ VGS = -10 V,

RDS (SOPRA) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V.

• Tassa bassa del portone (14.5nC tipico).

• Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (SOPRA).

• Alto potere e capacità di trattamento corrente.

TUM di valutazioni massime assolute = 25℃ salvo indicazione contraria

Simbolo Parametro Valutazioni Unità
VDSS Tensione di Scolo-fonte -30 V
VGSS Tensione di Portone-fonte ±20 V
Identificazione

Vuoti corrente - continuo (Nota 1a)

- Pulsato

 -6
-20
Palladio Dissipazione di potere per l'operazione doppia 2 W

Dissipazione di potere per la singola operazione (nota 1a)

(Nota 1b)

(Nota 1c)

 1,6
1
0,9
TJ, TSTG Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento -55 - 150 °C

CARATTERISTICHE TERMICHE

RθJA Resistenza termica, Giunzione--ambientale (nota 1a) 78 °C/W
RθJC Resistenza termica, Giunzione--caso (nota 1) 40 °C/W

Note:

1. RθJA è la somma del giunzione--caso e della resistenza termica caso--ambientale dove il riferimento termico di caso è definito come la superficie di montaggio della lega per saldatura dei perni dello scolo. RθJC è garantito da progettazione mentre RθCA è determinato dalla progettazione del bordo dell'utente.

2. Prova di impulso: ≤ 300µs, ≤ 2,0% di larghezza di impulso del duty cycle.

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
IRF3707PBF 6217 IR 11+ TO-220
IRF5210PBF 2546 IR 15+ TO-220
IRF5800TRPBF 54000 IR 16+ TSOP-6
IRF6218PBF 8426 IR 06+ TO-220AB
IRF640NPBF 5610 IR 15+ TO-220
IRF640NSTRLPBF 4905 IR 16+ TO-263
IRF6638TRPBF 4492 IR 13+ SMD
IRF7303TRPBF 15463 IR 14+ SOP-8
IRF7328TRPBF 6288 IR 13+ SOP-8
IRF740B 49000 FSC 16+ TO-220
IRF740PBF 11487 IR 16+ TO-220
IRF7416TRPBF 23190 IR 16+ SOP-8
IRF7494TRPBF 9525 IR 14+ SOP-8
IRF7907TRPBF 12836 IR 13+ SOP-8
IRF8010PBF 17656 IR 16+ TO-220
IRF840PBF 14327 VISHAY 16+ TO-220
IRF8788TRPBF 21214 IR 12+ SOP-8
IRF9530NPBF 5539 IR 16+ TO-220
IRF9620PBF 3435 VISHAY 13+ TO-220
IRF9Z24N 9496 IR 16+ TO-220
IRFB3004PBF 8497 IR 09+ TO-220
IRFB31N20D 6973 IR 14+ TO-220
IRFB3207ZPBF 16234 IR 15+ TO-220
IRFB3306PBF 7959 IR 13+ TO-220
IRFB4227PBF 14319 IR 16+ TO-220
IRFB4310PBF 7645 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 5199 IR 16+ TO-220
IRFB4332PBF 4735 IR 16+ TO-220
IRFB52N15DPBF 7716 IR 15+ TO-220
IRFI4019HG-117P 4847 IR 14+ TO-220-5

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