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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > MOSFET di commutazione veloce IRFP260NPBF di potere del transistor del Mosfet di potere 200A

MOSFET di commutazione veloce IRFP260NPBF di potere del transistor del Mosfet di potere 200A

MOSFET di commutazione veloce IRFP260NPBF di potere del transistor del Mosfet di potere 200A
MOSFET di commutazione veloce IRFP260NPBF di potere del transistor del Mosfet di potere 200A
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Manica 200 V 50A (TC) 300W (TC) attraverso il foro TO-247AC
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Pulsed Drain Current:
200 A
Dissipazione di potere:
300 W
Fattore riducente le imposte lineare:
2,0 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
±20 V
Singola energia della valanga di impulso:
560 mJ
Corrente della valanga:
50 A
Punto culminante:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduzione

MOSFET di potere di IRFP260NPbF HEXFET®

• Tecnologia della trasformazione avanzata?

• Valutazione dinamica di dv/dt?

• temperatura di funzionamento 175°C?

• Commutazione veloce?

• Completamente valanga valutata?

• Facilità di parallelizzazione?

• Requisiti semplici dell'azionamento

• Senza piombo

Descrizione

La quinta generazione HEXFETs dal raddrizzatore internazionale utilizza le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il pacchetto TO-247 è preferito per i livelli di potere delle applicazioni di commerciale-industriale dove più su precludere l'uso dei dispositivi TO-220. Il TO-247 è simile ma superiore al pacchetto più in anticipo TO-218 a causa del suo foro di montaggio isolato.

Valutazioni massime assolute

Parametro Massimo. Unità
Identificazione @ TC = 25°C Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V 50
Identificazione @ TC = 100°C Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V 35
IDM Corrente pulsata dello scolo 200
Palladio @TC = 25°C Dissipazione di potere 300
Fattore riducente le imposte lineare 2,0 W/°C
VGS Tensione di Portone--fonte ±20 V
EAS Singola energia della valanga di impulso 560 mJ
IAR Corrente della valanga? 50
ORECCHIO Energia ripetitiva della valanga? 30 mJ
dv/dt Recupero di punta dv/dt del diodo 10 V/ns
TJ, TSTG Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione -55 - +175 °C
Temperatura di saldatura, per 10 secondi 300 (1.6mm dal caso) °C
Montando coppia di torsione, 6-32 o srew M3 10 lbfïin (1.1Nïm)

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
LM2662MX 5344 TI 16+ SOP-8
LM2663M 6856 NS 16+ SOP-8
LM2675MX-5.0 5274 TI 16+ SOP-8
LM2675MX-ADJ 5415 TI 15+ SOP-8
LM2734YMK 12799 TI 16+ SOT23-6
LM2767M5X 6927 NSC 16+ SOT23-5
LM2825N-ADJ 1525 NSC 06+ DIP-24
LM2842YMK-ADJL 4655 TI 16+ SOT23-6
LM285MX-1.2 5929 NS 16+ SOP-8
LM2901DR2G 104000 SU 13+ CONTENTINO
LM2902DR2G 77000 SU 15+ CONTENTINO
LM2903DR2G 107000 SU 15+ CONTENTINO
LM2903IMX 13191 FSC 11+ SOP-8
LM2904DR2G 82000 SU 16+ SOP-8
LM2904MX 11700 NS 15+ SOP-8
LM2904P 20000 TI 16+ TSSOP-8
LM2904QPWRQ1 6065 TI 14+ TSSOP-8
LM2907N-8 8781 NS 97+ DIP-8
LM2917N-8 6580 NS 13+ DIP-8
LM2931AD-5.0R2G 19723 SU 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 14829 SU 16+ SOP-8
LM2931CDR2G 10000 SU 15+ SOP-8
LM2936MPX-3.3 9351 TI 14+ SOT-223
LM2936Z-5.0 3406 NS 05+ TO-92
LM2937ESX-3.3 9135 NSC 07+ TO-263
LM2937IMPX-3.3 1862 TI 16+ SOT-223
LM2940CSX-5.0 8095 NS 14+ TO-263
LM2940S-5.0 10367 NS 16+ TO-263
LM2940SX-5.0 8852 NS 15+ TO-263
LM2941CT 5900 NS 00+ TO-220

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