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N-MANICA PowerMESH molto veloce IGBT del modulo del mosfet di potere di STGW20NC60VD

N-MANICA PowerMESH molto veloce IGBT del modulo del mosfet di potere di STGW20NC60VD
N-MANICA PowerMESH molto veloce IGBT del modulo del mosfet di potere di STGW20NC60VD
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
IGBT 600 V 60 A 200 W Through Hole TO-247-3
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Collector-Emitter Voltage:
600 V
Reverse Battery Protection:
20 V
Gate-Emitter Voltage:
± 20 V
Collector Current (pulsed):
100 A
Derating Factor:
1.6 W/°C
Storage Temperature:
-55 to 150 °C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

STGW20NC60VD

N-MANICA 30A - 600V TO-247 PowerMESH™ veloce stesso IGBT

Caratteristiche generali

TIPO VCES VCE (seduto) @25°C (massimo) IC @100°C
STGW20NC60VD 600 V < 2="">30 A

■FUORI DALLE PERDITE COMPRENDA LA CORRENTE DELLA CODA

■LE PERDITE COMPRENDONO L'ENERGIA DI RECUPERO DEL DIODO

■CAPACITÀ A CORRENTE FORTE

■OPERAZIONE AD ALTA FREQUENZA FINO A 50 chilocicli

■DIODO ANTIPARALLELO DI RECUPERO ULTRAVELOCE MORBIDO STESSO

■ABBASSI IL RAPPORTO DI CRES /CIES

■PRODOTTI DELLA NUOVA GENERAZIONE CON DISTRIBUZIONE PIÙ STRETTA DI PARAMETRO

DESCRIZIONE

Facendo uso di ultima tecnologia ad alta tensione basata su una disposizione brevettata della striscia, STMicroelectronics ha progettato una famiglia avanzata di IGBTs, il PowerMESH™ IGBTs, con le prestazioni eccezionali. Il suffisso «V» identifica una famiglia ottimizzata per le applicazioni ad alta frequenza.

APPLICAZIONI

■INVERTITORI AD ALTA FREQUENZA

■SMPS e PFC IN ENTRAMBI COMMUTATORE DURO E TOPOLOGIE SONORE

■UPS

■DRIVER DEL MOTORE

Valutazioni massime assolute

Simbolo Parametro Valore Simbolo
VCES Tensione dell'Collettore-emettitore (VGS = 0) 600 V
VECR Protezione inversa della batteria 20 V
VGE Tensione dell'Portone-emettitore ± 20 V
IC Corrente di collettore (continua) a 25°C (#) 60
IC Corrente di collettore (continua) a 100°C (#) 30
ICM (1) Corrente di collettore (pulsata) 100
Se Corrente di andata di RMS del diodo a TC = 25°C 30
PTOT Dissipazione totale a TC = 25°C 200 W
Ridurre le imposte su fattore 1,6 W/°C
Tstg Temperatura di stoccaggio – 55 - 150 °C
Tj Temperatura di giunzione di funzionamento – 55 - 150 °C

(1) larghezza di impulso limitata dalla temperatura di giunzione massima.

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
R2A15908SP 7631 RENESAS 16+ SOP-28
R4363 8626 HARRIS 16+ TO-263
R5F100LEAFA#V0 1933 RENESAS 12+ LQFP-64
RA30H2127M 1228 MITSUBISH 12+ H2S
RA35H1516M 1255 MITSUBISH 15+ IMMERSIONE
RB160L-90 TE25 65000 ROHM 15+ SOD-106
RB160M-60 155000 ROHM 14+ SOD-123
RB450F 12000 ROHM 14+ SOT-323
RB551V-30 9000 ROHM 16+ SOD-323
RC4558DR 31000 TI 16+ SOP-8
RCLAMP0504F.TCT 64000 SEMTECH 15+ SOT-363
RCLAMP0504S.TCT 65000 SEMTECH 15+ SOT23-6
RCLAMP0524P.TCT 158000 SEMTECH 13+ SLP2510P8
RD06HVF1 2253 MITSUBISH 14+ TO-220
REF03GS 5373 ADI 16+ SOP-8
REF192FSZ 4252 ANNUNCIO 13+ SOP-8
REF192GSZ 6359 ANNUNCIO 16+ SOP-8
REF195GSZ 3984 ANNUNCIO 16+ SOP-8
REF198FS-REEL 5545 ANNUNCIO 06+ SOP-8
REF3030AIDBZR 4334 TI 15+ SOT-23
REF3040AIDBZR 4160 TI 15+ SOT-23
REF5020AIDR 3759 TI 16+ SOP-8
REF5025AIDGKR 7693 TI 15+ MSOP-8
REF5025AIDR 5866 TI 16+ SOP-8
REG113NA-3/3K 6375 TI 15+ SOT23-5
RFANT5220110A2T 48000 WALSIN 16+ SMD
RGP02-20E-E3/54 82000 VISHAY 16+ DO-41
RHRP3060 17467 FSC 14+ TO-220
RJH60F7DPQ 7148 RENESAS 13+ TO-247
RN1907FE 161000 TOSHIBA 15+ SOT-563

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