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TRIAC dei TRIAC SNUBBERLESS del transistor 8A del Mosfet di potere di BTA08-600BW3G

TRIAC dei TRIAC SNUBBERLESS del transistor 8A del Mosfet di potere di BTA08-600BW3G
TRIAC dei TRIAC SNUBBERLESS del transistor 8A del Mosfet di potere di BTA08-600BW3G
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
TRIAC Standard 600 V 8 A Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
RMS on-state current (full sine wave):
8 A
I² t Value for fusing:
36 A² s
Critical rate of rise of on-state current:
50 A/µs
Peak gate current:
4 A
Average gate power dissipation:
1 W
Storage junction temperature:
- 40 to + 150°C
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

Serie BTA/BTB08 e T8

SNUBBERLESS™, LIVELLO LOGICO & NORMA

TRIAC 8A

CARATTERISTICHE PRINCIPALI:

Simbolo Valore Unità
L'IT (RMS) 8
VDRM/VRRM 600 e 800 V
IGT (Q1) 5 - 50 mA

DESCRIZIONE

Disponibile nei pacchetti del superficie-supporto o del attraverso-foro, nella serie del triac BTA/BTB08 e T8 è adatto a commutazione per tutti gli usi di CA. Possono essere utilizzati come funzione INSERITA/DISINSERITA nelle domande quali i relè statici, regolamento del riscaldamento, motore asincrono che avvia i circuiti… o di operazione di controllo di fase in regolatori della luminosità leggeri, regolatori della velocità del motore,…

Le versioni snubberless (serie W e T8 di BTA/BTB…) sono raccomandate specialmente per uso sui carichi induttivi, grazie alle loro alte prestazioni di commutazione. Usando un cuscinetto ceramico interno, la serie di BTA fornisce la tensione linguetta isolata (valutata a 2500V RMS) che risponde alle norme dell'UL (archivio rif.: E81734)

VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

Simbolo Parametro Valore Unità
L'IT (RMS) Corrente dello su stato di RMS (sinusoide completa)

DPAK/² PAK DI D

IPAK/TO-220AB

 TC = 110°C 8
L'Istituto centrale di statistica di TO-220AB. TC = 100°C
ITSM Corrente di punta dello su stato dell'impulso non ripetitivo (ciclo completo, Tj = 25°C) iniziale F = 50 hertz t = spettrografia di massa 20 80
F = 60 hertz t = spettrografia di massa 16,7 84
² t di I Io valore del ² t per fondere tp = spettrografia di massa 10 36 Un ² s
dI/dt

Tasso critico di aumento della corrente dello su stato

IG = 2 x IGT, ≤ 100 NS di TR

 F = 120 hertz Tj = 125°C 50 A/µs
IGM Corrente di punta del portone tp = 20 µs Tj = 125°C 4
PAGINA (AVOIRDUPOIS) Dissipazione di potere media del portone Tj = 125°C 1 W

Tstg

Tj

Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio

Gamma di temperature di funzionamento della giunzione

- 40 + a 150

- 40 + a 125

 °C

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
LTC4357CMS8 1042 LT 16+ MSOP8
MSP430F149IPMR 848 TI 14+ QFP
PE-65351 654 IMPULSO 14+ DIP6
SIM900 760 SIM 14+ Na
TEA1523P 866 PHILIPS 16+ DIP8
AT24C512C-SSHD 972 A 16+ SOP8
ADG5433BRUZ 1078 ADI 13+ TSSOP
740L6001 1184 FAIRCHILD 15+ DIPSOP6
EM2860 1290 EMPIA 16+ QFP
TDA7386 1396 St 16+ ZIP
M48Z35-70PC1 1502 St 14+ IMMERSIONE
C8051F320-GQR 1608 SILICIO 14+ QFP
PIC16C622A-04I/P 1714 MICROCHIP 14+ IMMERSIONE
MX29GL128ELT2I-90G 1820 MXIC 16+ TSOP-56
BTS621L1 1926 16+ TO-263
HCNW2611 2032 AVAGO 13+ SOP-8
STM32F103C8T6 2138 St 15+ LQPF48
LT3756EMSE-2#PBF 2244 LT 16+ MSOP-16
BD82QM67/SLJ4M 2350 INTEL 16+ BGA
A3977SEDTR 2456 ALLEGRO 14+ PLCC44
RHRG30120 2562 FSC 14+ TO-3P
FT232RL 2668 FTDI 14+ SSOP28
L6228D 2774 St 16+ SOP24
LPC2136 2880 16+ LQFP64
1N4937 2986 SU 13+ DO-41
5KP24A 3092 VISHAY 15+ R-6
74C922N 3198 FSC 16+ IMMERSIONE
IRF1404PBF 3304 IR 16+ TO-220
M41T94MQ6 3410 St 14+ SOP-16
OP275G 3516 ANNUNCIO 14+ DIP-8

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