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Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Originale epitassiale del transistor del silicio di 2SC5242 3 Pin Transistor NPN

Originale epitassiale del transistor del silicio di 2SC5242 3 Pin Transistor NPN

Originale epitassiale del transistor del silicio di 2SC5242 3 Pin Transistor NPN
Originale epitassiale del transistor del silicio di 2SC5242 3 Pin Transistor NPN
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 17 A 30MHz 130 W Through Hole TO-3P
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
hFE Classification R:
55-110
hFE Classification O:
80-160
Main Line:
IC components, Transistor, Diode, Module,Capacitor etc
Voltage:
230V
Temperature:
-50-+150°C
Package:
TO-3P
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

Originale epitassiale del transistor del silicio di 2SC5242 3 Pin Transistor NPN

Transistor epitassiale 2SC5242 del silicio di NPN

Applicazioni

• Amplificatore ad alta fedeltà dell'audio uscita

• Caratteristiche per tutti gli usi dell'amplificatore di potenza

• Capacità a corrente forte: IC = 15A

• Dissipazione di alto potere: 130watts

• Ad alta frequenza: 30MHz.

• Alta tensione: VCEO=230V

• Ampio S.O.A per l'operazione affidabile.

• Linearità eccellenti di guadagno per THD basso.

• Complemento a 2SA1962/FJA4213.

• I modelli termici ed elettrici della spezia sono disponibili

• Lo stesso transistor è inoltre disponibile in: --Pacchetto TO264,

2SC5200/FJL4315: 150 watt --Pacchetto TO220,

FJP5200: 80 watt --Pacchetto di TO220F, FJPF5200: 50 watt

Tum di Ratings* = 25°C massimi assoluti salvo indicazione contraria

Simbolo Parametro Valutazioni Unità
BVCBO Tensione della Collettore-base 230 V
BVCEO Tensione dell'Collettore-emettitore 230 V
BVEBO Tensione emittenta-base 5 V
IC Corrente di collettore (CC) 15
IB Corrente di base 1,5
Palladio Dissipazione totale del dispositivo (TC=25°C) riduce le imposte su sopra 25°C

130

1,04

W

W/°C
TJ, TSTG Temperatura di stoccaggio e della giunzione -50-+150 °C

* queste valutazioni sono valori limite sopra cui l'utilità di tutto il dispositivo a semiconduttore può essere alterata.

Characteristics* termico Ta=25°C salvo indicazione contraria

Simbolo Parametro MASSIMO. Unità
RθJC Resistenza termica, giunzione da rivestire 0,96 W/°C

* dispositivo montato sulla dimensione minima del cuscinetto

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