Invia messaggio
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
prodotti
costruttori
Circa noi
risorse
Invii il RFQ
scaricamento
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > Raddrizzatore intrinseco veloce di commutazione del transistor IXFH60N50P3 del Mosfet di potere

Raddrizzatore intrinseco veloce di commutazione del transistor IXFH60N50P3 del Mosfet di potere

Raddrizzatore intrinseco veloce di commutazione del transistor IXFH60N50P3 del Mosfet di potere
Raddrizzatore intrinseco veloce di commutazione del transistor IXFH60N50P3 del Mosfet di potere
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 500 V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Features:
Fast Intrinsic Rectifier ,Avalanche Rated ,Low RDS(ON) and QG
IXFQ:
TO-3P
IXFH:
TO-247
Vantaggi:
densità di alto potere di z z facile montare il risparmio di spazio di z
Applications:
Switch-Mode and Resonant-Mode Power Supplies z DC-DC Converters z Laser Drivers z AC and DC Motor Drives
Weight:
TO-268 4.0 g TO-3P 5.5 g TO-247 6.0 g
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

Raddrizzatore intrinseco veloce di commutazione del transistor IXFH60N50P3 del Mosfet di potere

Polar3TM HiperFETTM IXFT60N50P3 VDSS = 500V

MOSFET di potere IXFQ60N50P3 Io D25 = 60A

IXFH60N50P3 ≤ 100mΩ di RDS (sopra)

Modo di potenziamento di N-Manica

Valanga valutata

Raddrizzatore intrinseco veloce

Simbolo Condizioni di prova Valutazioni massime

VDSS

VDGR

TJ = 25°C a 150°C

TJ = 25°C a 150°C, RGS = 1MΩ

500 V

500 V

VGSS

VGSM

Continuo

Passeggero

± 30 V

± 40 V

IO D25

IO DM

TC = 25°C

TC = 25°C, larghezza di impulso limitata da TJM

60 A

150 A

IO A

EAS

TC = 25°C

TC = 25°C

30 A

1 J
dv/dt È il ≤ IDM, il ≤ VDSS, il ≤ 150°C di VDD di TJ 35 V/ns
Palladio TC = 25°C W 1040

TJ

TJM

Tstg

-55… °C +150

°C 150

-55… °C +150

TL

Tsold

1.6mm (0.062in.) dall'argomento per 10s

Ente di plastica per 10 secondi

°C 300

°C 260
Md Montando coppia di torsione (TO-247 & TO-3P) 1.13 / 10 Nm/lb.in.
Peso

TO-268

TO-3P

TO-247

4,0 g

5,5 g

6,0 g

Caratteristiche

Raddrizzatore intrinseco veloce

Valanga valutata

RDS basso (SOPRA) e QG

Induttanza bassa del pacchetto

Vantaggi

Densità di alto potere

Facile montare

Risparmio di spazio

Applicazioni

Alimentazioni elettriche di Sonoro-modo e di Commutatore-modo

Driver del laser dei convertitori cc-cc z

Azionamenti del motore di CC e di CA

Comandi del servo e di robotica

Fig. 1. caratteristiche di uscita @ TJ = 25ºC Fig. 2. ha esteso le caratteristiche di uscita @ TJ = 25ºC

Fig. 3. caratteristiche di uscita @ TJ = 125ºC Fig. 4. RDS (sopra) normalizzato a valore identificazione = 30A contro Giunzione Temperatura

Fig. 5. RDS (sopra) normalizzato a valore identificazione = 30A contro 6. scolo massimo corrente contro il caso Scolo CurrentFig. Temperatura

Fig. 7. entrata introdotta Fig. 8. transconduttanza

PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
20
Contattaci
Indirizzo: Stanza 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Telefono: 86-755-88367702
prodotti

Chip di IC di memoria flash

Chip programmabile di IC

Il computer IC scheggia

Driver ICs del LED

Gestione CI di potere

Chip a circuito integrato

Unità microcontrollore MCU

Driver ICs dell'esposizione

Modulo di alimentazione IGBT

L'amplificatore IC scheggia
Circa noi
Circa noi Certificato di iso Controllo di qualità Norme sulla privacy Centro di aiuto
Norme sulla privacy | Buona qualità della Cina Chip di IC di memoria flash Fornitore. © di Copyright 2023 icmemorychip.com . Tutti i diritti riservati.