Nuovo & silicio originale NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
npn smd transistor
,silicon power transistors
Silicio NPN DarliCM GROUPon Power Transistors 2SD2390
DESCRIZIONE
·Con il pacchetto di TO-3PN
·Complemento per scrivere 2SB1560 a macchina
·Alto guadagno corrente di CC
APPLICAZIONI
·Audio, regolatore ed uso generale
APPUNTARE
PIN | DESCRIZIONE |
1 | Base |
2 |
Collettore; collegato a montaggio della base |
3 | Emettitore |
CARATTERISTICHE Tj=25℃ salvo specificazione contraria
SIMBOLO | PARAMETRO | CIRCOSTANZE | MIN | TIPO. | Max | UNITÀ |
CEO DI V (BR) | tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | IC =30mA; IB =0 | 150 | V | ||
VCEsat | tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | IC =7A; IB =7mA | 2,5 | V | ||
VBEsat | Tensione di saturazione dell'emettitore di base | IC =7A; IB =7mA | 3,0 | V | ||
ICBO | Corrente di taglio di collettore | IE =0 DI VCB =160V | 100 | μA | ||
IEBO | Corrente di taglio dell'emettitore | VEB =5V; IC =0 | 100 | μA | ||
hFE | Guadagno corrente di CC | IC =7A; VCE =4V | 5000 | |||
Pannocchia | Capacità di uscita | IE =0; VCB =10V; f=1MHz | 95 | PF | ||
fT | Frequenza di transizione | IC =2A; VCE =12V | 55 | Megahertz | ||
Periodi di commutazione | ||||||
tonnellata | Tempo d'apertura |
IC =7A; RL =10Ω IB1 = - IB2 =7MA VCC =70V |
0,5 | μs | ||
st | Tempo di immagazzinamento | 10,0 | μs | |||
tf | Tempo di caduta | 1,1 | μs |
classificazioni del hFE del
O | P | Y |
5000-12000 | 6500-20000 | 15000-30000 |
PROFILO DEL PACCHETTO