Transistor di potenza del silicio PNP (applicazioni) dell'amplificatore di potenza 2SA1943
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W Foro passante TO-3P(L)
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione della Collettore-base:
-230 V
Collector-emitter voltage:
-230 V
Tensione emittenta-base:
-5 V
Collector current:
-15 A
Base current:
-1.5 A
Collector power dissipation:
150 W
Junction temperature:
150℃
Storage temperature:
-55~150 ℃
Punto culminante:
npn smd transistor
,silicon power transistors
Introduzione
Transistor di potenza 2SA1943 del silicio PNP
DESCRIZIONE
·Con il pacchetto di TO-3PL
·Complemento per scrivere 2SC5200 a macchina
APPLICAZIONI
·Applicazioni dell'amplificatore di potenza
·Raccomandato per l'alta fedeltà 100W
stadio di uscita dell'amplificatore di audio frequenza
APPUNTARE
| PIN | DESCRIZIONE |
| 1 | Emettitore |
| 2 |
Collettore; collegato a montaggio della base |
| 3 | Base |
CARATTERISTICHE Tj=25℃ salvo specificazione contraria
| SIMBOLO | PARAMETRO | CIRCOSTANZE | MIN | TIPO. | Max | UNITÀ |
| CEO DI V (BR) | tensione di ripartizione dell'Collettore-emettitore | IC =-50mA; IB =0 | -230 | V | ||
| VCEsat | tensione di saturazione dell'Collettore-emettitore | IC =-8A IB =-0.8A | -3,0 | V | ||
| VBE | Tensione dell'emettitore di base | IC =-7A; VCE =-5V | -1,5 | V | ||
| ICBO | Corrente di taglio di collettore | VCB =-230V; IE =0 | -5 | μA | ||
| IEBO | Corrente di taglio dell'emettitore | VEB =-5V; IC =0 | -5 | μA | ||
| hFE-1 | Guadagno corrente di CC | IC =-1A; VCE =-5V | 55 | 160 | ||
| hFE-2 | Guadagno corrente di CC | IC =-7A; VCE =-5V | 35 | |||
| fT | Frequenza di transizione | IC =-1A; VCE =-5V | 30 | Megahertz | ||
| PANNOCCHIA | Capacità di uscita del collettore | f=1MHz; VCB =-10V | 360 | PF |
classificazioni del hFE-1
| R | O |
| 55-110 | 80-160 |
PROFILO DEL PACCHETTO
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MOQ:
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