Nuovi & transistor di potenza originali del silicio PNP, pacchetto 2SB861 di TO-220C
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Bipolar (BJT) Transistor
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Collector-base voltage:
-200 V
Collector-emitter voltage:
-150 V
Emitter-base voltage:
-6 V
Collector current:
-2 A
Collector current-Peak:
-5 A
Junction temperature:
150 ℃
Storage temperature:
-45~150 ℃
Pacchetto:
Pacchetto di TO-220C
Punto culminante:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introduzione
Transistor di potenza 2SB861 del silicio PNP
DESCRIZIONE
·Con il pacchetto di TO-220C
·Complemento per scrivere 2SD1138 a macchina
APPLICAZIONI
·Uscita a bassa frequenza di deflessione verticale di colore TV dell'amplificatore di potenza
APPUNTARE
| PIN | DESCRIZIONE |
| 1 | Emettitore |
| 2 |
Collettore; collegato a montaggio della base |
| 3 | Base |
Valutazioni massime assolute (Ta=25? ℃)
| SIMBOLO | PARAMETRO | CIRCOSTANZE | VALORE | UNITÀ |
| VCBO | tensione della Collettore-base | Emettitore aperto | -200 | V |
| VCEO | tensione dell'Collettore-emettitore | Base aperta | -150 | V |
| VEBO | Tensione emittenta-base | Collettore aperto | -6 | V |
| IC | Corrente di collettore | -2 | ||
| ICP | Corrente-picco del collettore | -5 | ||
| PC | Dissipazione di potere del collettore | Tum =25? ℃ | 1,8 | W |
| TC =25? ℃ | 30 | |||
| Tj | Temperatura di giunzione | 150 | ? ℃ | |
| Tstg | Temperatura di stoccaggio | -45~150 | ? ℃ |
PROFILO DEL PACCHETTO
Il profilo Fig.2 dimensiona (tolleranza unindicated: ±0.10 millimetro)
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Di riserva:
MOQ:
20pcs