Configurazione dei transistor di potenza del silicio del MOSFET IRF740PBF di potere singola
npn smd transistor
,silicon power transistors
CARATTERISTICHE
• Valutazione dinamica di dV/dt
• Valanga ripetitiva valutata
• Commutazione veloce
• Facilità di parallelizzazione
• Requisiti semplici dell'azionamento
• Disponibile senza del cavo (Pb)
DESCRIZIONE
I MOSFETs di potere della terza generazione da Vishay forniscono
progettista con la migliore combinazione di commutazione veloce,
progettazione resa resistente del dispositivo, su resistenza bassa e
redditività.
Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutti
applicazioni di commerciale-industriale a dissipazione di potere
livelli a circa 50 W. La resistenza termica bassa
ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuisce al suo ampio
accettazione in tutto l'industria.
°C TIPICO di CARATTERISTICHE 25, salvo indicazione contraria