Modulo del Mosfet di potere del MOSFET IRFB4410ZPBF di potere di HEXFET
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Canale N 100 V 97 A (Tc) 230 W (Tc) Foro passante TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
VDSS:
100V
Tipo di RDS (sopra).; massimo.:
7.2m? ; 9.0m?
ID (Silicon Limited):
97
ID (Package Limited):
75A
G; D; S:
Gate; Drain; Source
Maximum Power Dissipation:
230W
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
Applicazioni?
• Rettifica sincrona di alta efficienza in SMPS
• ? Gruppo di continuità?
• Commutazione di potenza ad alta velocità?
• Circuiti duro commutati ed ad alta frequenza
Benefici?
• Portone migliore, valanga e dV/dt dinamico
Irregolarità?
• Capacità completamente caratterizzata e valanga
SOA?
• Diodo migliorato dV/dt del corpo e capacità di dI/dt?
• Senza piombo
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