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FET componente del livello logico di TrenchMOS del transistor del Mosfet di potere del transistor di elettronica di BUK9507-30B

FET componente del livello logico di TrenchMOS del transistor del Mosfet di potere del transistor di elettronica di BUK9507-30B
FET componente del livello logico di TrenchMOS del transistor del Mosfet di potere del transistor di elettronica di BUK9507-30B
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 157W (Tc) Through Hole TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
drain-source voltage:
30 V
drain-gate voltage:
30 V
gate-source voltage:
±15 V
corrente di punta dello scolo:
435 A
total power dissipation:
157 W
storage temperature:
−55 to +175 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

multi emitter transistor

Introduzione

BUK95/9607-30B

FET del livello logico di TrenchMOS™

Descrizione

transistor di potenza di effetto di campo di modo di potenziamento di N-Manica in un pacchetto di plastica facendo uso di tecnologia di Philips High-Performance Automotive (HPA) TrenchMOS™.

Disponibilità di prodotto:

BUK9507-30B in SOT78 (TO-220AB)

BUK9607-30B in SOT404 (D2-PAK).

Caratteristiche

■Resistenza bassa dello su stato

■Q101 compiacente

■il °C 175 ha valutato

■Livello logico compatibile.

Applicazioni

■Sistemi automobilistici

■12 carichi di V

■Motori, lampade e solenoidi

■Commutazione di potenza per tutti gli usi.

Dati di riferimento rapido

■≤ 327 mJ di EDS (AL) S

■RDSon = 5,9 mΩ (tipo)

■≤ 75 A DI IDENTIFICAZIONE

■≤ 157 W. di Ptot.

Valori limite

Conformemente al sistema di valutazione massimo assoluto (IEC 60134).

Simbolo Parametro Circostanze Min Massimo Unità
VDS tensione di scolo-fonte (CC) - 30 V
VDGR tensione del scolo-portone (CC) RGS = kΩ 20 - 30 V
VGS tensione di portone-fonte (CC) - ±15 V
Identificazione corrente dello scolo (CC)

Tmb = °C 25; VGS = 5 V;

Figure 2 e 3

 [1] - 108
[2] - 75

Tmb = °C 100; VGS = 5 V;

Figura 2

 [1] - 75
IDM corrente di punta dello scolo

Tmb = °C 25; pulsato; µs del ≤ 10 di tp;

Figura 3

 - 435
Ptot dissipazione di potere totale Tmb = °C 25; Figura 1 - 157 W
Tstg temperatura di stoccaggio -55 +175 °C
Tj temperatura di giunzione -55 +175 °C

[1] corrente è limitata dalla valutazione del chip della dissipazione di potere.

[2] la corrente continua è limitata dal pacchetto.

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Q'ty MFG D/C Pacchetto
AT42QT1040-MMH 4187 ATMEL 15+ VQFN-20
LMV7219M5X 4183 NSC 14+ SOT-23-5
AT90USB1286-AU 4182 ATMEL 15+ QFP64
BUH517 4182 St 14+ TO-3P
PIC16F913-I/SS 4178 MICROCHIP 14+ SSOP
MAR9109PD 4175 St 14+ SSOP
LTC1665CGN#PBF 4169 LINEARE 14+ SSOP
MBI5026GP 4166 MBI 15+ SSOP
AD8362ARUZ 4158 ANNUNCIO 15+ TSSOP-16
LNK605DG 4156 POTERE 15+ DIP-7
AD8495ARMZ 4156 ANNUNCIO 15+ MSOP-8
M66005-0001AFP 4150 RENESAS 15+ SSOP
ADM206AR 4149 ANNUNCIO 15+ SOP24
AD5246BKSZ100-RL7 4139 ANNUNCIO 15+ SOT23
AD5621AKSZ-REEL7 4133 ANNUNCIO 15+ SC70-6
AD820ARMZ 4133 ANNUNCIO 14+ MSOP-8
M61530FP 4125 MIT 13+ SSOP
LPC1342FHN33 4122 15+ HVQFN33
LP2980IM5X-5.0 4121 NSC 14+ SOT-23-5
LP2950CZ-3.3 4121 NSC 15+ TO-92
AD9235BCPZ-40 4121 ANNUNCIO 14+ FCSP-72

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