Transistor doppio del Mosfet di potere del mosfet di potere del mosfet di potere dello smd di IRFB31N20DPBF???????? MOSFET di potere di HEXFET®
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Canale N 200 V 31 A (Tc) 3,1 W (Ta), 200 W (Tc) Foro passante TO-220AB
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V:
21 A
Corrente pulsata dello scolo:
124 A
Fattore riducente le imposte lineare:
1,3 W/°C
Tensione di Portone--fonte:
± 30 V
Recupero di punta dv/dt del diodo:
2,1 V/ns
Punto culminante:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduzione
HEXFET? MOSFET di potere
| VDSS | RDS (sopra) massimo | Identificazione |
| 200V | 0.082Ω | 31A |
Applicazioni
- ? Convertitori cc-cc ad alta frequenza?
- Senza piombo
Benefici
- ? Portone basso da vuotare per ridurrsi commutare le perdite?
- Capacità completamente caratterizzata compreso efficace COSS per semplificare progettazione, (vedi un 1001)?
- Tensione e corrente di valanga completamente caratterizzate
Valutazioni massime assolute
| Parametro | Massimo. | Unità | |
| Identificazione @ TC = 25°C | Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V | 31 | |
| Identificazione @ TC = 100°C | Corrente continua dello scolo, VGS @ 10V | 21 | |
| IDM | Pulsato vuoti il corrente | 124 | |
| Palladio @TA = 25°C | Dissipazione di potere | 3,1 | W |
| Palladio @TC = 25°C | Dissipazione di potere | 200 | W |
| Fattore riducente le imposte lineare | 1,3 | W/°C | |
| VGS | Tensione di Portone--fonte | ± 30 | V |
| dv/dt | di punta di recupero dv/dt del diodo | 2,1 | V/ns |
|
TJ TSTG |
Giunzione di funzionamento e Gamma di temperature di stoccaggio |
-55 + a 175 | °C |
| Temperatura di saldatura, per 10 secondi | 300 (1.6mm dal caso) | °C | |
| Montando coppia di torsione, 6-32 o srew M3 | 10 lbf•in (1.1N•m) |
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Q'ty | MFG | D/C | Pacchetto |
| MAX1636EAP-T | 6200 | MASSIMO | 10+ | SSOP |
| MAC8M | 9873 | SU | 10+ | TO-220 |
| MJD117-1G | 8000 | SU | 14+ | TO-263 |
| MAX1683EUK+T | 6350 | MASSIMO | 16+ | BEONE |
| L3G4200D | 2729 | St | 15+ | LGA16 |
| PTN78020AAH | 400 | TI | 15+ | IMMERSIONE |
| MAX4214EUK+T | 5968 | MASSIMO | 10+ | BEONE |
| MX25L12873FM2I-10G | 4500 | MXIC | 15+ | CONTENTINO |
| ATTINY10-TSHR | 3000 | ATMEL | 15+ | SOT23 |
| PTN78060WAD | 980 | TI | 15+ | IMMERSIONE |
| PIC18F2520-I/SO | 4598 | MICROCHIP | 15+ | CONTENTINO |
| MC33269DR2-5.0 | 4554 | SU | 15+ | CONTENTINO |
| MCP3421AOT-E/CH | 5302 | MICROCHIP | 16+ | BEONE |
| MMBFJ108 | 10000 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-23 |
| PIC18F8520-I/PT | 4273 | MICROCHIP | 14+ | TQFP |
| PIC18F4550-I/PT | 4438 | MICROCHIP | 14+ | QFP |
| MC68HC908QY4CPE | 3832 | FREESCALE | 14+ | IMMERSIONE |
| ZTX751 | 16060 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| MC9S12C64MFAE | 4732 | FREESCALE | 14+ | QFP |
| ZTX651 | 29000 | ZETEX | 11+ | TO-92 |
| LTC1650AIS | 2802 | LINEARE | 11+ | CONTENTINO |
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