Invia messaggio
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Casa
prodotti
costruttori
Circa noi
risorse
Invii il RFQ
scaricamento
Casa > prodotti > chip elettronici di CI > MOSFETs di potere di N-Manica del transistor del Mosfet di potere dei transistor del mosfet di alto potere RFP70N06

MOSFETs di potere di N-Manica del transistor del Mosfet di potere dei transistor del mosfet di alto potere RFP70N06

MOSFETs di potere di N-Manica del transistor del Mosfet di potere dei transistor del mosfet di alto potere RFP70N06
MOSFETs di potere di N-Manica del transistor del Mosfet di potere dei transistor del mosfet di alto potere RFP70N06
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Manica 60 V 70A (TC) 150W (TC) attraverso il foro TO-220-3
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Vuoti a tensione di fonte:
60 V
Vuoti a tensione del portone (RGS = 20kΩ):
60 V
Corrente continua dello scolo:
70 A
Portone a tensione di fonte:
±20 V
Dissipazione di potere:
150 W
Fattore riducente le imposte lineare:
1,0 W/℃
Punto culminante:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduzione

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM

70A, 60V, 0,014 ohm, MOSFETs di potere di N-Manica

Questi sono MOSFETs di potere di N-Manica manifatturieri facendo uso del processo di MegaFET. Questo processo, che usa le feature size che si avvicinano a quelle dei circuiti integrati LSI, dà l'utilizzazione ottimale di silicio, con conseguente prestazione eccezionale. Sono stati progettati per uso nelle applicazioni quali i regolatori di commutazione, i convertitori di commutazione, i driver del motore ed i driver del relè. Questi transistor possono essere azionati direttamente a partire dai circuiti integrati.

Tipo precedentemente inerente allo sviluppo TA49007.

Caratteristiche

• 70A, 60V

• RDS (sopra) = 0.014Ω

• Modello a temperatura compensata di PSPICE®

• Picco di corrente contro la curva di larghezza di impulso

• Curva di valutazione di UIS (singolo impulso)

• temperatura di funzionamento 175oC

• Letteratura relativa

- TB334 «linee guida per le componenti di superficie di saldatura del supporto ai bordi di PC»

Valutazioni massime assolute TC = 25℃, salvo specificazione contraria

PARAMETRO SIMBOLO

RFG70N06, RFP70N06

RF1S70N06SM

 UNITÀ
Vuoti a tensione di fonte (nota 1) VDSS 60 V
Vuoti a tensione del portone (RGS = 20kΩ) (nota 1) VDGR 60 V
Corrente continua dello scolo Identificazione 70
Corrente pulsata dello scolo (nota 3) IDM Riferisca alla curva del picco di corrente
Portone a tensione di fonte VGS ±20 V
Singola valutazione della valanga di impulso EAS Riferisca alla curva di UIS
Dissipazione di potere Palladio 150 W
Fattore riducente le imposte lineare 1,0 W/℃
Temperatura di stoccaggio e di funzionamento TJ, TSTG -55 - 175 ℃

Temperatura massima per saldare

Cavi a 0.063in (1.6mm) dall'argomento per 10s

Il corpo del pacchetto per 10s, vede Techbrief 334

TL

Tpkg

300

260

℃

℃

CAUTELA: Gli sforzi sopra quelli elencati «nelle valutazioni massime assolute» possono danneggiare permanente il dispositivo. Ciò è una sola valutazione di sforzo e l'operazione del dispositivo a questi o di alcuni altri termini sopra quelli indicati nelle sezioni operative di questa specificazione non è implicata.

NOTA: 1. TJ = 25oC a 150℃

Simbolo

Imballaggio

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Q'ty MFG D/C Pacchetto
LA4440 3620 SANYO 14+ SIP-14
LT1512CS8#PBF 5755 LINEARE 15+ SOP-8
LM75CIMMX-3 6880 NSC 14+ MSOP-8
LTC2954CTS8-2#TRMPBF 6896 LT 10+ BEONE
NTE4151PT1G 38000 SU 16+ SOT-523
CXD2480R 1277 SONY 15+ QFP
A8498SLJTR-T 3500 ALLEGRO 12+ SOP-8
A4950ELJTR-T 1000 ALLEGRO 13+ SOP-8
LMX2335LTMX 2297 NSC 14+ TSSOP-16
NCP1034DR2G 9200 SU 16+ CONTENTINO
A3932SLDTR-T 2042 ALLEGRO 15+ TSSOP38
MM3Z4V7ST1G 25000 SU 16+ SOD-323
MCP1825S-3302E/DB 5134 MICROCHIP 16+ SOT-223
MMBZ5257BLT1G 20000 SU 16+ SOT-23
MBR120ESFT1G 38000 SU 16+ ZOLLA
L4931ABD33 3851 St 14+ SOP8
NTE4153NT1G 30000 SU 16+ SOT-523
MPX5100DP 6099 FREESCALE 15+ SORSATA
LMH1980MM/NOPB 1632 TI 15+ VSSOP-10
PIC18F26K20-I/SS 4498 MICROCHIP 13+ SSOP
LTC3450EUD 6714 LINEARE 15+ DFN

PRODOTTI RELATIVI
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Immagine parte # Descrizione
0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT

0402 film spesso Chip Resistor RC0402JR-0710KL di 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A per la linea elettrica TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC di 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro

Varistore SMD blu Chip Resistor di MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuito attraverso il disco 20mm del foro
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo

Transistor planare epitassiale di Pnp di raddrizzatore di 2SB1261-TP 10W del silicio per tutti gli usi del diodo
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P

Mosfet polare Hiperfet TO264 300V 140A di potere di IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodi di protezione di H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky

Raddrizzatore MEGA basso SOD123 della barriera di PMEG6010ER 1A VF Schottky
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC

I diodi di raddrizzatore della barriera di SK34SMA 3A SMD Schottky FANNO - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W

Diodi del supporto TV della superficie dei diodi Zener di silicio di SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
10pcs
Contattaci
Indirizzo: Stanza 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Telefono: 86-755-88367702
prodotti

Chip di IC di memoria flash

Chip programmabile di IC

Il computer IC scheggia

Driver ICs del LED

Gestione CI di potere

Chip a circuito integrato

Unità microcontrollore MCU

Driver ICs dell'esposizione

Modulo di alimentazione IGBT

L'amplificatore IC scheggia
Circa noi
Circa noi Certificato di iso Controllo di qualità Norme sulla privacy Centro di aiuto
Norme sulla privacy | Buona qualità della Cina Chip di IC di memoria flash Fornitore. © di Copyright 2023 icmemorychip.com . Tutti i diritti riservati.