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N-MANICA MDmesh del transistor del Mosfet di potere del transistor di potenza del darliCM GROUPon del npn di STP20NM50FP? MOSFET di potere

N-MANICA MDmesh del transistor del Mosfet di potere del transistor di potenza del darliCM GROUPon del npn di STP20NM50FP? MOSFET di potere
N-MANICA MDmesh del transistor del Mosfet di potere del transistor di potenza del darliCM GROUPon del npn di STP20NM50FP? MOSFET di potere
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Channel 550 V 20A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220FP
Categoria:
chip elettronici di CI
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Gate-Source Voltage:
± 30 V
Peak Diode Recovery voltage slope:
15 V/ns
Operating Junction Temperature:
-65 to 150 °C
Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Thermal Resistance Junction-amb Max:
62.5 °C/W
Maximum Lead Temperature For Soldering Purpose:
300 °C
Punto culminante:

npn smd transistor

,

silicon power transistors

Introduzione


STB20NM50 - STB20NM50-1
STP20NM50 - STP20NM50FP

N-MANICA 550V@Tjmax - 0.20Ω - 20A - ² PAK del ² PAK-I di TO220/FP-D
MOSFET Zener-protetto di SuperMESH™

Caratteristiche generali

Tipo VDSS (@Tj massimo) RDS (sopra) Identificazione

STB20NM50

STB20NM50-1

STP20NM50

STP20NM50FP

550 V

550 V

550 V

550 V

<0>

<0>

<0>

<0>

20 A

20 A

20 A

20 A

■ALTE CAPACITÀ della VALANGA E di dv/dt
■LA VALANGA 100% HA PROVATO
■TASSA INTRODOTTA BASSA DEL PORTONE E DI CAPACITÀ
■RESISTENZA D'INGRESSO BASSA DEL PORTONE

Descrizione
Il MDmesh™ è una nuova tecnologia rivoluzionaria del MOSFET che associa il processo multiplo dello scolo con la disposizione del PowerMESH™horizontal della società. Il prodotto risultante ha una su resistenza bassa eccezionale, impressionante alto dv/dt e le prestazioni dinamiche eccellenti di caratteristica della valanga e.

Applicazioni
La famiglia di MDmesh™ è molto adatta a densità di potenza aumentante dei convertitori ad alta tensione permettendo le efficienze del andhiher di miniaturizzazione del sistema.

Valutazioni massime assolute

Simbolo Parametro Valore Unità
² PAK DEL ² PAK/I DI TO-220/D TO-220FP
VGS Tensione di Portone-fonte ± 30 V
Identificazione Vuoti corrente (continuo) a TC = 25°C 20 20 (nota 3)
Identificazione Vuoti corrente (continuo) a TC = 100°C 12,6 12,6 (nota 3)
Nota 2 di IDM Corrente dello scolo (pulsata) 80 80 (nota 3)
PTOT Dissipazione totale a TC = 25°C 192 45 W
Ridurre le imposte su fattore 1,2 0,36 W/°C
nota 1 di dv/dt Pendio di punta di tensione di recupero del diodo 15 V/ns
VISO L'isolamento resiste a Volatge (CC) - 2000 V

Tj

Tstg

Temperatura di giunzione di funzionamento

Temperatura di stoccaggio

 -65 - 150 °C


Pacchetto


Rappresentazione schematica interna



Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Q'ty MFG D/C Pacchetto
LM4652TF 1435 NSC 13+ ZIP-15
PIC24FJ64GB106-I/PT 4118 MICROCHIP 16+ TQFP
LM4651N 1543 NSC 14+ DIP-28
PC3H711NIP 30000 TAGLIENTE 16+ CONTENTINO
PC3Q67QJ000F 11500 TAGLIENTE 16+ CONTENTINO
MC68302PV16C 3628 MOT 10+ QFP
LMH0356SQE 437 TI 15+ WQFN-48
LMH0036SQE 1226 NSC 12+ LLP
CY7B1399B-15VC 500 CYPRESS 01+ SOJ
MAX3232EEUE+T 11450 MASSIMO 16+ TSSOP
PIC18F66K22-I/PT 4308 MICROCHIP 14+ QFP
PESD5V0S1BA 25000 16+ ZOLLA
NUP5150MUTBG 5340 SU 16+ QFN
CS4954-CQZR 2476 CIRRUS 10+ TQFP-48
MIC2951-02YM 6460 MICREL 11+ CONTENTINO
MUR1620CTG 10000 SU 16+ TO-220
MKL25Z128VLK4 1070 FREESCALE 14+ LQFP
BD82H61 SLJ4B 340 INTEL 13+ BGA
MBR0540T1G 20000 SU 15+ SOD-123
SAP16PO 300 SANKEN 06+ TO-3P
M48T02-120PC1 3607 St 15+ IMMERSIONE




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